Memoria

Resultados : 3
Fabricante
Infineon TechnologiesMacronixMicrochip Technology
Serie
-MXSMIO™
Embalaje
BandejaTubo
DigiKey programable
No verificadoVerificado
Formato de la memoria
EEPROMMemoria flashNVSRAM
Tecnología
EEPROMFLASH - NORNVSRAM (SRAM no volátil)
del programa
16Kbit1Mbits64Mbit
Organización de la memoria
2K x 864K x 168M x 8
Interfaz de memoria
ParaleloSPISPI - E/S cuádruple
Frecuencia de reloj
10 MHz80 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
25ns100µs, 10ms5ms
Voltaje de la fuente
1.65V ~ 3.6V2.5V ~ 5.5V2.7V ~ 3.6V
Paquete / Caja (carcasa)
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho)Placa descubierta 8-WDFN44-TSOP (0.400", 10.16mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-MSOP8-WSON (6x5)44-TSOP II
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
3Resultados

Demostración
de 3
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
DigiKey programable
Tipo de memoria
Formato de la memoria
Tecnología
del programa
Organización de la memoria
Interfaz de memoria
Frecuencia de reloj
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
Tiempo de acceso
Voltaje de la fuente
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-WSON
MX25R6435FZNIL0
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON
Macronix
6,943
En stock
1 : $1.94000
Bandeja
Bandeja
Activo
No verificado
No volátil
Memoria flash
FLASH - NOR
64Mbit
8M x 8
SPI - E/S cuádruple
80 MHz
100µs, 10ms
-
1.65V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C (TA)
Montaje en superficie
Placa descubierta 8-WDFN
8-WSON (6x5)
44-TSOP Pkg
CY14B101NA-ZS25XI
IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II
Infineon Technologies
502
En stock
1 : $25.71000
Bandeja
-
Bandeja
Activo
No verificado
No volátil
NVSRAM
NVSRAM (SRAM no volátil)
1Mbits
64K x 16
Paralelo
-
25ns
25 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C (TA)
Montaje en superficie
44-TSOP (0.400", 10.16mm de ancho)
44-TSOP II
8-MSOP
25LC160A-I/MS
IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8MSOP
Microchip Technology
39
En stock
1 : $0.80000
Tubo
-
Tubo
Activo
Verificado
No volátil
EEPROM
EEPROM
16Kbit
2K x 8
SPI
10 MHz
5ms
-
2.5V ~ 5.5V
-40°C ~ 85°C (TA)
Montaje en superficie
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho)
8-MSOP
Demostración
de 3

Memoria


La memoria es un dispositivo semiconductor que se utiliza como dispositivo de almacenamiento de datos en un circuito integrado. Estos dispositivos están disponibles en varios formatos CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, Flash, FRAM, NVSRAM, PCM (PRAM), PSRAM, RAM y SRAM en versión no volátil o volátil. Los tamaños de memoria de estos dispositivos varían de 64 b a 6 Tb con la interfaz de I2C, MMC, paralela, eMMC, en serie, con cable único, SPI (interfaz periférica serial), UFS, Xccela Bus y 1-Wire®.