50-TSOP (0.400", 10.16mm ancho), 44 conductores Memoria

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	DigiKey programable	Tipo de memoria	Formato de la memoria	Tecnología	del programa	Organización de la memoria	Interfaz de memoria	Frecuencia de reloj	Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página	Tiempo de acceso	Voltaje de la fuente	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
IS41C16100C-50TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	0 En stock	1,000 : $5.07416 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	No verificado	Volátil	DRAM	DRAM - EDO	16Mbit	1M x 16	Paralelo	-	-	25 ns	4.5V ~ 5.5V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaje en superficie	50-TSOP (0.400", 10.16mm ancho), 44 conductores	50-TSOP II
IS41LV16105D-50TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1,000 : $5.45705 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	DRAM - FP	16Mbit	1M x 16	Paralelo	-	-	25 ns	3V ~ 3.6V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaje en superficie	50-TSOP (0.400", 10.16mm ancho), 44 conductores	50-TSOP II
IS41LV16105D-50TLI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	0 En stock Consultar el plazo de entrega	234 : $5.64252 Bandeja	-	-	Bandeja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	DRAM - FP	16Mbit	1M x 16	Paralelo	-	-	25 ns	3V ~ 3.6V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaje en superficie	50-TSOP (0.400", 10.16mm ancho), 44 conductores	50-TSOP II
IS41LV16100D-50TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1,000 : $5.70133 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	DRAM - EDO	16Mbit	1M x 16	Paralelo	-	-	25 ns	3V ~ 3.6V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaje en superficie	50-TSOP (0.400", 10.16mm ancho), 44 conductores	50-TSOP II
IS41LV16100D-50TLI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	0 En stock Consultar el plazo de entrega	234 : $5.88453 Bandeja	-	-	Bandeja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	DRAM - EDO	16Mbit	1M x 16	Paralelo	-	-	25 ns	3V ~ 3.6V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaje en superficie	50-TSOP (0.400", 10.16mm ancho), 44 conductores	50-TSOP II
MSM51V18165F-60T3 IC DRAM 16MBIT PARALLEL 50TSOP Rohm Semiconductor	0 En stock	Obsoleto	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Bandeja	Obsoleto	No verificado	Volátil	DRAM	DRAM	16Mbit	1M x 16	Paralelo	-	104ns	30 ns	3V ~ 3.6V	0°C ~ 70°C (TA)	Montaje en superficie	50-TSOP (0.400", 10.16mm ancho), 44 conductores	50-TSOP
MD51V65165E-50TAZ0AR IC DRAM 64MBIT PAR 50TSOP II Rohm Semiconductor	0 En stock	Obsoleto	-	-	Bandeja	Obsoleto	No verificado	Volátil	DRAM	DRAM	64Mbit	4M x 16	Paralelo	-	84ns	25 ns	3V ~ 3.6V	0°C ~ 70°C (TA)	Montaje en superficie	50-TSOP (0.400", 10.16mm ancho), 44 conductores	50-TSOP
MSM56V16160K8T3K IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II Rohm Semiconductor	0 En stock	Activo	-	-	Bandeja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM	16Mbit	512K x 16 x 2	Paralelo	125 MHz	70ns	6 ns	3V ~ 3.6V	0°C ~ 70°C (TA)	Montaje en superficie	50-TSOP (0.400", 10.16mm ancho), 44 conductores	50-TSOP
IS41C16100C-50TLI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	0 En stock	Obsoleto	-	-	Bandeja	Obsoleto	No verificado	Volátil	DRAM	DRAM - EDO	16Mbit	1M x 16	Paralelo	-	-	25 ns	4.5V ~ 5.5V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaje en superficie	50-TSOP (0.400", 10.16mm ancho), 44 conductores	50-TSOP II
IS41C16100C-50TI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	0 En stock	Obsoleto	-	-	Bandeja	Obsoleto	No verificado	Volátil	DRAM	DRAM - EDO	16Mbit	1M x 16	Paralelo	-	85ns	25 ns	4.5V ~ 5.5V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaje en superficie	50-TSOP (0.400", 10.16mm ancho), 44 conductores	50-TSOP II
IS41C16105C-50TI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	0 En stock	Obsoleto	-	-	Bandeja	Obsoleto	No verificado	Volátil	DRAM	DRAM - FP	16Mbit	1M x 16	Paralelo	-	84ns	25 ns	4.5V ~ 5.5V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaje en superficie	50-TSOP (0.400", 10.16mm ancho), 44 conductores	50-TSOP II
IS41LV16100C-50TI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	0 En stock	Obsoleto	-	-	Bandeja	Obsoleto	No verificado	Volátil	DRAM	DRAM - EDO	16Mbit	1M x 16	Paralelo	-	85ns	25 ns	2.97V ~ 3.63V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaje en superficie	50-TSOP (0.400", 10.16mm ancho), 44 conductores	50-TSOP II

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La memoria es un dispositivo semiconductor que se utiliza como dispositivo de almacenamiento de datos en un circuito integrado. Estos dispositivos están disponibles en varios formatos CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, Flash, FRAM, NVSRAM, PCM (PRAM), PSRAM, RAM y SRAM en versión no volátil o volátil. Los tamaños de memoria de estos dispositivos varían de 64 b a 6 Tb con la interfaz de I2C, MMC, paralela, eMMC, en serie, con cable único, SPI (interfaz periférica serial), UFS, Xccela Bus y 1-Wire®.