200-TFBGA Memoria

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de 290

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	DigiKey programable	Tipo de memoria	Formato de la memoria	Tecnología	del programa	Organización de la memoria	Interfaz de memoria	Frecuencia de reloj	Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página	Tiempo de acceso	Voltaje de la fuente	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor

MT53E512M32D1ZW-046 WT:B IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Micron Technology Inc.	646 En stock	1 : $16.13000 Bandeja	-	Bandeja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR4	16Gbit	512M x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-25°C ~ 85°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Micron Technology Inc.	439 En stock	1 : $17.82000 Bandeja	-	Bandeja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR4	16Gbit	512M x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Micron Technology Inc.	1,169 En stock	1 : $24.94000 Caja	-	Caja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - LPDDR4X móvil	16Gbit	512M x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-40°C ~ 105°C (TC)	Uso automotriz	AEC-Q100	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
AS4C256M32MD4-062BAN IC DRAM 8GBIT LVSTL 200FBGA Alliance Memory, Inc.	1,543 En stock	1 : $27.36000 Bandeja	-	Bandeja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR4	8Gbit	256M x 32	LVSTL	1.6 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	-40°C ~ 105°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-FBGA (10x14.5)
MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Micron Technology Inc.	567 En stock	1 : $28.46000 Caja	-	Caja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - LPDDR4X móvil	16Gbit	512M x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-40°C ~ 125°C (TC)	Uso automotriz	AEC-Q100	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
MT53E1G32D2FW-046 IT:B IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Micron Technology Inc.	835 En stock	1 : $33.76000 Caja	-	Caja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - LPDDR4X móvil	32Gbit	1G x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Micron Technology Inc.	1,418 En stock	1 : $44.68000 Caja	-	Caja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - LPDDR4X móvil	32Gbit	1G x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-40°C ~ 105°C (TC)	Uso automotriz	AEC-Q100	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA Micron Technology Inc.	1,134 En stock	1 : $75.21000 Caja	-	Caja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - LPDDR4X móvil	64Gbit	2G x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-40°C ~ 95°C (TC)	Uso automotriz	AEC-Q100	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
MT53E1536M32D4DE-046 WT:C IC DRAM 48GBIT PAR 200TFBGA Micron Technology Inc.	1,246 En stock	1 : $48.29000 Caja	-	Caja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - LPDDR4X móvil	48Gbit	1.5G x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-25°C ~ 85°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
IS43LQ32128A-062TBLI IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	272 En stock	1 : $14.94000 Bandeja	-	Bandeja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR4	4Gbit	128M x 32	LVSTL	1.6 GHz	-	-	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	-40°C ~ 85°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
W66AP6NBQAFJ IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA Winbond Electronics	127 En stock	1 : $6.04000 Bandeja	-	Bandeja	Activo	-	Volátil	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR4	1Gbit	64M x 16	LVSTL_11	1.6 GHz	18ns	3.6 ns	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	-40°C ~ 105°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
W66CP2NQQAFJ IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA Winbond Electronics	144 En stock	1 : $7.96000 Bandeja	-	Bandeja	Activo	-	Volátil	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR4	4Gbit	128M x 32	LVSTL_11	1.6 GHz	18ns	3.6 ns	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	-40°C ~ 105°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
IS43LQ32640A-062TBLI IC DRAM 2GBIT LVSTL 200TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	136 En stock	1 : $11.38000 Granel	-	Granel	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR4	2Gbit	64M x 32	LVSTL	1.6 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Micron Technology Inc.	934 En stock	1 : $17.60000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $10.97783 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR4	16Gbit	512M x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-25°C ~ 85°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Micron Technology Inc.	1,321 En stock	1 : $20.96000 Caja	-	Caja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - LPDDR4X móvil	16Gbit	512M x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-40°C ~ 95°C (TC)	Uso automotriz	AEC-Q100	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
AS4C256M16MD4-062BAN IC DRAM 4GBIT LVSTL 200FBGA Alliance Memory, Inc.	136 En stock	1 : $22.13000 Bandeja	-	Bandeja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR4	4Gbit	256M x 16	LVSTL	1.6 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	-40°C ~ 105°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-FBGA (10x14.5)
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Micron Technology Inc.	1,997 En stock	1 : $22.49000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $12.00843 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR4	16Gbit	512M x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
AS4C256M32MD4V-062BAN IC DRAM 8GBIT LVSTL 200FBGA Alliance Memory, Inc.	136 En stock	1 : $28.49000 Bandeja	-	Bandeja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - LPDDR4X móvil	8Gbit	256M x 32	LVSTL	1.6 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	-40°C ~ 105°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-FBGA (10x14.5)
MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Micron Technology Inc.	1,937 En stock	1 : $31.19000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $21.00237 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR4	32Gbit	1G x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-25°C ~ 85°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Micron Technology Inc.	1,966 En stock	1 : $33.76000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $23.08488 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - LPDDR4X móvil	32Gbit	1G x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
MT53E1G32D2FW-046 AIT:B IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Micron Technology Inc.	1,360 En stock	1 : $40.86000 Caja	-	Caja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - LPDDR4X móvil	32Gbit	1G x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-40°C ~ 95°C (TC)	Uso automotriz	AEC-Q100	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
MT53E1G32D2FW-046 AIT:C IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Micron Technology Inc.	1,340 En stock	1 : $42.81000 Bandeja	-	Bandeja	Activo	-	Volátil	DRAM	SDRAM - LPDDR4X móvil	32Gbit	1G x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-40°C ~ 95°C (TC)	Uso automotriz	AEC-Q100	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Micron Technology Inc.	1,360 En stock	1 : $50.92000 Caja	-	Caja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - LPDDR4X móvil	32Gbit	1G x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-40°C ~ 125°C (TC)	Uso automotriz	AEC-Q100	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ WFBGA Micron Technology Inc.	1,215 En stock	1 : $62.99000 Bandeja	-	Bandeja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR4	48Gbit	1.5G x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-40°C ~ 105°C (TC)	Uso automotriz	AEC-Q100	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)
MT53E2G32D4DE-046 WT:C IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA Micron Technology Inc.	1,328 En stock	1 : $65.59000 Caja	-	Caja	Activo	No verificado	Volátil	DRAM	SDRAM - LPDDR4X móvil	64Gbit	2G x 32	Paralelo	2.133 GHz	18ns	3.5 ns	1.06V ~ 1.17V	-25°C ~ 85°C (TC)	-	-	Montaje en superficie	200-TFBGA	200-TFBGA (10x14.5)

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La memoria es un dispositivo semiconductor que se utiliza como dispositivo de almacenamiento de datos en un circuito integrado. Estos dispositivos están disponibles en varios formatos CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, Flash, FRAM, NVSRAM, PCM (PRAM), PSRAM, RAM y SRAM en versión no volátil o volátil. Los tamaños de memoria de estos dispositivos varían de 64 b a 6 Tb con la interfaz de I2C, MMC, paralela, eMMC, en serie, con cable único, SPI (interfaz periférica serial), UFS, Xccela Bus y 1-Wire®.

200-TFBGA Memoria

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