Memoria

Resultados : 7
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
7Resultados

Demostración
de 7
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
DigiKey programable
Tipo de memoria
Formato de la memoria
Tecnología
del programa
Organización de la memoria
Interfaz de memoria
Frecuencia de reloj
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
Tiempo de acceso
Voltaje de la fuente
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
1,902
En stock
1 : $7.77000
Bandeja
-
Bandeja
Activo
No verificado
No volátil
Memoria flash
FLASH - NOR
512Mbit
64M x 8
SPI - E/S cuádruple
133 MHz
8 ms, 2.8 ms
-
1.7V ~ 2V
-40°C ~ 85°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 8-WDFN
8-WPDFN (8x6) (MLP8)
200 TFBGA ZW
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Micron Technology Inc.
386
En stock
1 : $16.11000
Bandeja
-
Bandeja
Activo
No verificado
Volátil
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR4
16Gbit
512M x 32
Paralelo
2.133 GHz
18ns
3.5 ns
1.06V ~ 1.17V
-25°C ~ 85°C (TC)
-
-
Montaje en superficie
200-TFBGA
200-TFBGA (10x14.5)
96-FBGA
MT40A1G16TB-062E IT:F
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA
Micron Technology Inc.
598
En stock
1 : $27.38000
Bandeja
-
Bandeja
Activo
No verificado
Volátil
DRAM
SDRAM - DDR4
16Gbit
1G x 16
Paralelo
1.6 GHz
15ns
19 ns
1.14V ~ 1.26V
-40°C ~ 95°C (TC)
-
-
Montaje en superficie
96-TFBGA
96-FBGA (7.5x13)
8 SOIC
NV24C64DWVLT3G
IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
onsemi
7,571
En stock
33,000
Fábrica
1 : $0.48000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.31644
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
No volátil
EEPROM
EEPROM
64Kbit
8K x 8
I2C
1 MHz
4ms
400 ns
1.7V ~ 5.5V
-40°C ~ 125°C (TA)
Uso automotriz
AEC-Q100
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
8-SOIC
S25FS512SDSMFI010
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Infineon Technologies
388
En stock
1 : $10.10000
Bandeja
Bandeja
Activo
No verificado
No volátil
Memoria flash
FLASH - NOR
512Mbit
64M x 8
SPI - I/O cuádruple, QPI
80 MHz
-
-
1.7V ~ 2V
-40°C ~ 85°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
16-SOIC (0.295", 7.50mm de ancho)
16-SOIC
1,189
En stock
1 : $20.43000
Caja
-
Caja
Activo
No verificado
Volátil
DRAM
SDRAM - LPDDR4X móvil
16Gbit
512M x 32
Paralelo
2.133 GHz
18ns
3.5 ns
1.06V ~ 1.17V
-40°C ~ 95°C (TC)
Uso automotriz
AEC-Q100
Montaje en superficie
200-TFBGA
200-TFBGA (10x14.5)
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
2,000 : $11.21250
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
-
-
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR4
16Gbit
512M x 32
-
-
-
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
200-TFBGA
200-TFBGA (10x14.5)
Demostración
de 7

Memoria


La memoria es un dispositivo semiconductor que se utiliza como dispositivo de almacenamiento de datos en un circuito integrado. Estos dispositivos están disponibles en varios formatos CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, Flash, FRAM, NVSRAM, PCM (PRAM), PSRAM, RAM y SRAM en versión no volátil o volátil. Los tamaños de memoria de estos dispositivos varían de 64 b a 6 Tb con la interfaz de I2C, MMC, paralela, eMMC, en serie, con cable único, SPI (interfaz periférica serial), UFS, Xccela Bus y 1-Wire®.