Módulos del controlador de potencia

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo	Configuración	Corriente	Voltaje	Voltaje - Aislamiento	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)
MSCSM120DAM11CT3AG PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F Microchip Technology	3 En stock	1 : $181.31000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	MOSFET	1 fase	254 A	1.2 kV	4000Vrms	Montaje de chasis	Módulo
MSCSM120SKM11CT3AG PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F Microchip Technology	4 En stock	1 : $181.31000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	MOSFET	1 fase	254 A	1.2 kV	4000Vrms	Montaje de chasis	Módulo
MSCSM70TAM05TPAG PM-MOSFET-SIC~-SP6P Microchip Technology	1 En stock	1 : $611.29000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	MOSFET	Inversor trifásico	273 A	700 V	-	Montaje de chasis	Módulo
APTLGF350A608G POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8 Microchip Technology	0 En stock	50 : $227.42500 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	IGBT	Medio puente	430 A	600 V	2500Vrms	Orificio pasante	Módulo 6-PowerSIP
APTLGT400A608G POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8 Microchip Technology	0 En stock Consultar el plazo de entrega	3 : $339.27333 Granel	-	-	Granel	Activo	IGBT	Medio puente	600 A	600 V	2500Vrms	Orificio pasante	Módulo 6-PowerSIP
APTLGL325A1208G POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8 Microchip Technology	0 En stock Consultar el plazo de entrega	3 : $380.86333 Granel	-	-	Granel	Activo	IGBT	Medio puente	420 A	1.2 kV	2500Vrms	Orificio pasante	Módulo 6-PowerSIP
APTLGT300A1208G MOD IGBT 1200V 440A LP8 Microchip Technology	0 En stock Consultar el plazo de entrega	3 : $390.15000 Granel	-	-	Granel	Activo	IGBT	Medio puente	440 A	1.2 kV	2500Vrms	Orificio pasante	Módulo 6-PowerSIP
MSCSM120XM31CTYZBNMG PM-MOSFET-SIC-SBD-NHPD Microchip Technology	0 En stock	Activo	-	-	Tubo	Activo	MOSFET	Trifásico	80 A	1.2 kV	4000Vrms	Montaje de chasis	Módulo
MSCSM70XM19CTYZBNMG PM-MOSFET-SIC-SBD-NHPD Microchip Technology	0 En stock	Activo	-	-	Tubo	Activo	MOSFET	Trifásico	110 A	650 V	4000Vrms	Montaje de chasis	Módulo

Demostración

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Los módulos del controlador de potencia proporcionan la contención física para los componentes de potencia, por lo general, IGBT y MOSFET, en configuraciones de medio puente o monofásicas, bifásicas o trifásicas. Los semiconductores de potencia o matrices se sueldan o sinterizan sobre un sustrato que lleva los semiconductores de potencia y proporciona contacto eléctrico y térmico y aislamiento eléctrico donde sea necesario. Los módulos de potencia proporcionan una mayor densidad de potencia y, en muchos casos, son más fiables y fáciles de enfriar.