Conductores de compuerta

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Demostración
de 508
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
DigiKey programable
Configuración dirigida
Tipo de canal
Cantidad de controladores
Tipo de compuerta
Voltaje de la fuente
Voltaje lógico - VIL, VIH
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
Tipo de entrada
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
Tiempo de subida/bajada
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
ISL2111ARTZ-T
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN
Renesas Electronics Corporation
13,769
En stock
1 : $1.77000
Cinta cortada (CT)
6,000 : $0.86670
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Medio puente
Sincrónico
2
MOSFET (canal N)
6V ~ 18V
1.47V, 1.84V
3A, 4A
No inversor
115 V
435ns, 365ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 10-WDFN
10-TDFN (4x4)
8 SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
5,682
En stock
1 : $2.77000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.45756
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
No verificado
Medio puente
Independiente
2
MOSFET (canal N)
4.5V ~ 15V
0.8V, 2V
-
Inversión
-
20ns, 20ns
0°C ~ 70°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
34,244
En stock
1 : $3.46000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.91867
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
No verificado
Nivel bajo
Independiente
2
MOSFET (canal N, canal P)
4.5V ~ 15V
0.8V, 2.4V
2A, 2A
Inversión
-
7.5ns, 10ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
3,215
En stock
1 : $3.46000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.91867
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
No verificado
Nivel bajo
Independiente
2
MOSFET (canal N, canal P)
4.5V ~ 15V
0.8V, 2.4V
2A, 2A
No inversor
-
7.5ns, 10ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
8 SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
1,799
En stock
1 : $4.39000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
No verificado
Medio puente
Independiente
2
MOSFET (canal N)
9V ~ 14V
4V, 7V
2A, 2A
No inversor
114 V
10ns, 10ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
3,084
En stock
1,000
Fábrica
1 : $4.61000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.61596
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
No verificado
Nivel bajo
Independiente
2
MOSFET (canal N, canal P)
4.5V ~ 16V
0.8V, 2.4V
2A, 2A
Inversión, No inversor
-
10ns, 10ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
8-SOIC Exposed Pad
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
4,590
En stock
1 : $5.16000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $2.87220
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Medio puente
Independiente
2
MOSFET (canal N)
9V ~ 14V
0.8V, 2.2V
2A, 2A
No inversor
114 V
10ns, 10ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm ancho)
8-SOIC-EP
8 SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
4,260
En stock
1 : $5.16000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $2.87220
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Medio puente
Independiente
2
MOSFET (canal N)
9V ~ 14V
4V, 7V
2A, 2A
No inversor
114 V
10ns, 10ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
16-SSOP
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16QSOP
Renesas Electronics Corporation
5,170
En stock
1,000
Fábrica
1 : $6.39000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.72899
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
No verificado
Nivel alto o bajo
Independiente
4
MOSFET (canal N, canal P)
4.5V ~ 18V
0.8V, 2V
2A, 2A
No inversor
-
13.5ns, 13ns
-40°C ~ 85°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
16-SSOP (0.154", 3.90mm de ancho)
16-QSOP
16-SSOP
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16QSOP
Renesas Electronics Corporation
1,384
En stock
1 : $6.39000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
No verificado
Nivel alto o bajo
Independiente
4
MOSFET (canal N, canal P)
4.5V ~ 18V
0.8V, 2V
2A, 2A
No inversor
-
13.5ns, 13ns
-40°C ~ 85°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
16-SSOP (0.154", 3.90mm de ancho)
16-QSOP
2,804
En stock
1 : $6.48000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.78310
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
MOSFET (canal N, canal P)
4.5V ~ 16V
0.8V, 2.4V
4A, 4A
No inversor
-
7.5ns, 10ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
EL7252CSZ-T13
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
3,000
En stock
1 : $8.01000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $4.75441
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel alto o bajo
Sincrónico
2
IGBT
4.5V ~ 16.5V
0.8V, 2.4V
3.5A, 3.5A
No inversor
-
14.5ns, 15ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
EL7252CSZ-T13
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
2,388
En stock
1 : $8.01000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $4.75441
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel alto o bajo
Simple
1
IGBT
4.5V ~ 16.5V
0.8V, 2.4V
3.5A, 3.5A
No inversor
-
14.5ns, 15ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
EL7252CSZ-T13
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
1,884
En stock
1 : $8.01000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
No verificado
Nivel alto o bajo
Simple
1
IGBT
4.5V ~ 16.5V
0.8V, 2.4V
3.5A, 3.5A
No inversor
-
14.5ns, 15ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
EL7252CSZ-T13
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
5,548
En stock
1 : $10.66000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
No verificado
Nivel alto o bajo
Simple
1
IGBT
4.5V ~ 12V
0.8V, 2.4V
12A, 12A
No inversor
-
12ns, 12.2ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
324,298
En stock
1 : $0.63000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.24621
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel alto
Simple
1
MOSFET (canal N)
4.75V ~ 5.25V
0.4V, 5.5V
32µA, 400µA
CMOS
-
-
-55°C ~ 125°C
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 8-WFDFN
8-TDFN (2x2)
ISL2111ARTZ-T
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN
Renesas Electronics Corporation
1,960
En stock
1 : $1.77000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
-
Medio puente
Sincrónico
2
MOSFET (canal N)
6V ~ 18V
1.47V, 1.84V
3A, 4A
No inversor
115 V
20ns, 20ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 10-WDFN
10-TDFN (4x4)
EL7252CSZ-T13
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
6,284
En stock
1 : $3.46000
Tubo
-
-
Tubo
Última compra
No verificado
Nivel bajo
Independiente
2
MOSFET (canal N, canal P)
4.5V ~ 15V
0.8V, 2.4V
2A, 2A
No inversor
-
7.5ns, 10ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
2,789
En stock
1 : $3.46000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.91867
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
No verificado
Nivel bajo
Independiente
2
MOSFET (canal N, canal P)
4.5V ~ 15V
0.8V, 2.4V
2A, 2A
Inversión, No inversor
-
7.5ns, 10ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
EL7252CSZ-T13
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
2,166
En stock
1 : $3.46000
Tubo
-
-
Tubo
Última compra
No verificado
Nivel bajo
Independiente
2
MOSFET (canal N, canal P)
4.5V ~ 15V
0.8V, 2.4V
2A, 2A
Inversión
-
7.5ns, 10ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
8 SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
2,112
En stock
1 : $3.46000
Tubo
-
-
Tubo
Última compra
No verificado
Medio puente
Independiente
2
MOSFET (canal N)
4.5V ~ 15V
0.8V, 2V
-
Inversión
-
20ns, 20ns
0°C ~ 70°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
8 SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
5,896
En stock
1 : $5.16000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $2.87220
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Medio puente
Independiente
2
MOSFET (canal N)
9V ~ 14V
0.8V, 2.2V
2A, 2A
No inversor
114 V
10ns, 10ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
8 SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
1,030
En stock
1 : $5.16000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
No verificado
Medio puente
Independiente
2
MOSFET (canal N)
9V ~ 14V
0.8V, 2.2V
2A, 2A
No inversor
114 V
10ns, 10ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
8 SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
6,148
En stock
36,260
Fábrica
1 : $5.18000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
No verificado
Medio puente
Independiente
2
MOSFET (canal N)
8V ~ 14V
1.4V, 2.2V
3A, 4A
No inversor
114 V
9ns, 7.5ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
EL7252CSZ-T13
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Renesas Electronics Corporation
1,212
En stock
1,940
Fábrica
1 : $6.48000
Tubo
-
-
Tubo
Última compra
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
MOSFET (canal N, canal P)
4.5V ~ 16V
0.8V, 2.4V
4A, 4A
No inversor
-
7.5ns, 10ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
Demostración
de 508

Conductores de compuerta


Los circuitos integrados de administración de energía (PMIC) del controlador de compuertas son dispositivos que brindan aislamiento, amplificación, cambio de referencia, arranque u otras funciones necesarias para interconectar señales de un dispositivo de control en una aplicación de conversión de energía a los dispositivos semiconductores (generalmente FET o IGBT) a través de los cuales pasa la energía que se controla. Las funciones exactas que ofrece cualquier dispositivo particular varían, pero se correlacionan con la configuración del semiconductor que está adaptada para impulsar.