Conductores de compuerta

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8Resultados

Demostración
de 8
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
DigiKey programable
Configuración dirigida
Tipo de canal
Cantidad de controladores
Tipo de compuerta
Voltaje de la fuente
Voltaje lógico - VIL, VIH
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
Tipo de entrada
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
Tiempo de subida/bajada
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
IR21271STRPBF
IRS2011STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
966
En stock
1 : $2.39000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.23928
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Medio puente
Independiente
2
MOSFET (canal N)
10V ~ 20V
0.7V, 2.5V
1A, 1A
Inversión
200 V
25ns, 15ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
PG-SOT23-5-1
1EDN7512BXTSA1
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Infineon Technologies
8,511
En stock
1 : $0.59000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.26322
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
MOSFET (canal N)
4.5V ~ 20V
-
4A, 8A
Inversión, No inversor
-
6.5ns, 4.5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
SC-74A, SOT-753
PG-SOT23-5-1
PG-SOT23-6-1
IRS10752LTRPBF
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
10,831
En stock
1 : $0.80000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.37013
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel alto
Simple
1
MOSFET (canal N)
10V ~ 18V
0.8V, 2.2V
160 mA, 240 mA
No inversor
100 V
85ns, 40ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
Montaje en superficie
SOT-23-6
PG-SOT23-6
1ED44173N01BXTSA1
1ED44173N01BXTSA1
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
10,982
En stock
1 : $0.89000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.41575
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
MOSFET (canal N)
8.6V ~ 20V
1.2V, 1.9V
2.6A, 2.6A
No inversor
-
5ns, 5ns
-40°C ~ 125°C (TA)
Montaje en superficie
SOT-23-6
PG-SOT23-6-3
IRS4427STRPBF
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Infineon Technologies
2,151
En stock
1 : $1.27000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.62102
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Independiente
2
IGBT, MOSFET (canal N)
6V ~ 20V
0.8V, 2.5V
2.3 A, 3.3 A
No inversor
-
25ns, 25ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
14-SOIC
2EDL23N06PJXUMA1
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO
Infineon Technologies
3,681
En stock
1 : $2.12000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.08447
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Medio puente
Independiente
2
MOSFET (canal N, canal P)
10V ~ 17.5V
1.1V, 1.7V
1.8 A, 2.3 A
No inversor
600 V
48ns, 37ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
14-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
PG-DSO-14-2
6EDL04N02PRXUMA1
6EDL04N02PRXUMA1
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP
Infineon Technologies
15,449
En stock
1 : $3.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.57463
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Medio puente
3 fases, trifásico
6
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
10V ~ 17.5V
1.1V, 1.7V
-
No inversor
200 V
60ns, 26ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
Montaje en superficie
28-TSSOP (0.173", 4.40mm de ancho)
PG-TSSOP-28
IR21271STRPBF
IRS21271STRPBF
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Infineon Technologies
3,089
En stock
1 : $0.97000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.45828
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel alto
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
9V ~ 20V
0.8V, 2.5V
290 mA, 600 mA
No inversor
600 V
80ns, 40ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
Demostración
de 8

Conductores de compuerta


Los circuitos integrados de administración de energía (PMIC) del controlador de compuertas son dispositivos que brindan aislamiento, amplificación, cambio de referencia, arranque u otras funciones necesarias para interconectar señales de un dispositivo de control en una aplicación de conversión de energía a los dispositivos semiconductores (generalmente FET o IGBT) a través de los cuales pasa la energía que se controla. Las funciones exactas que ofrece cualquier dispositivo particular varían, pero se correlacionan con la configuración del semiconductor que está adaptada para impulsar.