Conductores de compuerta

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	DigiKey programable	Configuración dirigida	Tipo de canal	Cantidad de controladores	Tipo de compuerta	Voltaje de la fuente	Voltaje lógico - VIL, VIH	Corriente - salida pico (fuente, disipación)	Tipo de entrada	Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)	Tiempo de subida/bajada	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
AUIR2085STR IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Infineon Technologies	2,035 En stock	1 : $3.97000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $2.15949 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	No verificado	Medio puente	Sincrónico	2	MOSFET (canal N)	10V ~ 15V	-	1A, 1A	Circuito de entrada RC	100 V	40ns, 20ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q100	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)	PG-DSO-8-904
TLE9180D31QKXUMA1 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP Infineon Technologies	7,134 En stock	1 : $6.55000 Cinta cortada (CT) 1,900 : $3.45313 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	No verificado	Medio puente	3 fases, trifásico	6	MOSFET (canal N)	5.5V ~ 60V	-	1A, 1A	No inversor	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q100	Montaje en superficie	Placa descubierta 64-LQFP	PG-LQFP-64-27
AUIRB24427STR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Infineon Technologies	2,265 En stock	1 : $5.42000 Cinta cortada (CT)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Obsoleto	No verificado	Nivel bajo	Independiente	2	MOSFET (canal N)	5V ~ 20V	0.8V, 2.5V	6A, 6A	No inversor	-	33ns, 33ns (máx.)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)	PG-DSO-8-9

Demostración

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Los circuitos integrados de administración de energía (PMIC) del controlador de compuertas son dispositivos que brindan aislamiento, amplificación, cambio de referencia, arranque u otras funciones necesarias para interconectar señales de un dispositivo de control en una aplicación de conversión de energía a los dispositivos semiconductores (generalmente FET o IGBT) a través de los cuales pasa la energía que se controla. Las funciones exactas que ofrece cualquier dispositivo particular varían, pero se correlacionan con la configuración del semiconductor que está adaptada para impulsar.