Demostración
de 6,265
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
DigiKey programable
Configuración dirigida
Tipo de canal
Cantidad de controladores
Tipo de compuerta
Voltaje de la fuente
Voltaje lógico - VIL, VIH
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
Tipo de entrada
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
Tiempo de subida/bajada
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT 26
ZXGD3009E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
44,863
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14089
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N40V (máx.)-2A, 2ANo inversor-210ns, 240ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
SOT-23-6 PKG
ZXGD3003E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Diodes Incorporated
113,642
En stock
210,000
Fábrica
1 : $0.59000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.22846
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N40V (máx.)-5A, 5ANo inversor-8.9ns, 8.9ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-23-6
SOT 26
ZXGD3006E6QTA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
43,178
En stock
111,000
Fábrica
1 : $0.68000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.26361
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET SiC40V (máx.)-10A, 10ANo inversor-48ns, 35ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-26
SOT-23-5
FAN3111ESX
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
3,470
En stock
1 : $0.80000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.28770
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N4.5V ~ 18V-1.4A, 1.4ANo inversor-9ns, 8ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SOT-23-5
SOT25
DGD0215WT-7
IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25
Diodes Incorporated
28,566
En stock
15,000
Fábrica
1 : $0.76000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.29290
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N4.5V ~ 18V0.8V, 2.4V1.9A, 1.8AInversión, No inversor-15ns, 15ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficieSOT-23-5 delgado, TSOT-23-5TSOT-25 (tipo TH)
SOT-23-6 PKG
ZXGD3004E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Diodes Incorporated
88,804
En stock
1 : $0.76000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.29436
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N40V (máx.)-8A, 8ANo inversor-13.4ns, 12.4ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-23-6
SOT-23-6 PKG
ZXGD3002E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Diodes Incorporated
64,756
En stock
1 : $0.76000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.29436
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N20V (máx.)-9A, 9ANo inversor-8.3ns, 10.8ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-23-6
SOT753
UCC27517DBVR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
14,737
En stock
1 : $0.90000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.34687
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N4.5V ~ 18V1V, 2.4V4A, 4AInversión, No inversor-8ns, 7ns-40°C ~ 140°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SOT-23-5
10-DFN
DGD05463FN-7
IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
Diodes Incorporated
4,705
En stock
9,000
Fábrica
1 : $0.83000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.35421
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteSincrónico2MOSFET de canal N4.5V ~ 14V0.8V, 2.4V1.5A, 2.5ACMOS, TTL50 V17ns, 12ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficiePlaca descubierta 10-WFDFNW-DFN3030-10
PG-SOT23-6
IRS10752LTRPBF
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
8,389
En stock
1 : $0.87000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.36976
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel altoSimple1MOSFET de canal N10V ~ 18V0.8V, 2.2V160 mA, 240 mANo inversor100 V85ns, 40ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6PG-SOT23-6
38,896
En stock
12,000
Fábrica
1 : $0.89000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.37923
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente1MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 20V0.8V, 2.5V2A, 2ACMOS, TTL-7ns, 7ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SOT-23-5
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IRS2008STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
13,380
En stock
1 : $0.92000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.39182
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteSincrónico2MOSFET de canal N10V ~ 20V0.8V, 2.5V290 mA, 600 mANo inversor200 V70ns, 30ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
SOT-23-5
FAN3100TSX
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
20,815
En stock
1 : $1.04000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.41911
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N4.5V ~ 18V0.8V, 2V3A, 3AInversión, No inversor-13ns, 9ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SOT-23-5
8-SOIC
LM5109BMAX/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Texas Instruments
38,498
En stock
10,000
Fábrica
1 : $1.03000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.43550
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteIndependiente2MOSFET de canal N8V ~ 14V0.8V, 2.2V1A, 1ANo inversor108 V15ns, 15ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
6-MLP
FAN3100TMPX
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6MLP
onsemi
20,494
En stock
1 : $1.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.48117
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1MOSFET de canal N4.5V ~ 18V0.8V, 2V3A, 3AInversión, No inversor-13ns, 9ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-WDFN6-MicroFET (2x2)
10-VSON
LM5108DRCR
IC GATE DRVR PWR MGMT
Texas Instruments
8,341
En stock
9,000
Fábrica
1 : $1.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.49490
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteIndependiente2MOSFET de canal N5.5V ~ 16V-1.6A, 2.6ACMOS, TTL-11ns, 8ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 10-VFDFN10-VSON (3x3)
35,658
En stock
1 : $1.18000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.49985
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 30V0.8V, 2.4V1.5A, 1.5ANo inversor-10ns, 8ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
SOT-23-6 PKG
UCC27511DBVR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Texas Instruments
6,037
En stock
1 : $1.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.50763
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N4.5V ~ 18V1V, 2.4V4A, 8AInversión, No inversor-8ns, 7ns-40°C ~ 140°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-23-6
AS2376QS-13
DGD2304S8-13
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Diodes Incorporated
5,848
En stock
995,000
Fábrica
1 : $1.20000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.50904
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteIndependiente2IGBT, MOSFET de canal N10V ~ 20V0.7V, 2.3V290 mA, 600 mANo inversor600 V70ns, 35ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
8-SOIC
FAN3224TMX
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
onsemi
4,681
En stock
1 : $1.27000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.51206
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N4.5V ~ 18V0.8V, 2V5A, 5ANo inversor-12ns, 9ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-SOIC
NCP5106BDR2G
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
onsemi
21,174
En stock
1 : $1.33000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.53423
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoMedio puenteIndependiente2IGBT, MOSFET de canal N10V ~ 20V0.8V, 2.3V250mA, 500mANo inversor600 V85ns, 35ns-40°C ~ 125°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-SOIC
UCC27324DR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Texas Instruments
4,269
En stock
10,000
Fábrica
1 : $1.27000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.54015
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 15V1V, 2V4A, 4ANo inversor-20ns, 15ns-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
119,201
En stock
1 : $1.30000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.54991
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoIndependiente2MOSFET de canal N, canal P4.5V ~ 30V0.8V, 2.4V1.5A, 1.5ANo inversor-10ns, 8ns-40°C ~ 125°C (TA)Montaje en superficiePlaca descubierta 8-VDFN8-DFN (3x3)
SOT753
UCC27517AQDBVRQ1
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
32,906
En stock
1 : $1.32000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.55994
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N4.5V ~ 18V1V, 2.4V4A, 4AInversión, No inversor-8ns, 7ns-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SOT-23-5
SOT-23-6 PKG
UCC27531DBVR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Texas Instruments
8,594
En stock
9,000
Fábrica
1 : $1.32000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.56136
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoNo verificadoNivel bajoSimple1IGBT, MOSFET de canal N10V ~ 32V1.2V, 2.2V2.5A, 5ANo inversor-15ns, 7ns-40°C ~ 140°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6SOT-23-6
Demostración
de 6,265

Conductores de compuerta


Los circuitos integrados de administración de energía (PMIC) del controlador de compuertas son dispositivos que brindan aislamiento, amplificación, cambio de referencia, arranque u otras funciones necesarias para interconectar señales de un dispositivo de control en una aplicación de conversión de energía a los dispositivos semiconductores (generalmente FET o IGBT) a través de los cuales pasa la energía que se controla. Las funciones exactas que ofrece cualquier dispositivo particular varían, pero se correlacionan con la configuración del semiconductor que está adaptada para impulsar.