Conductores de compuerta

Resultados : 6,223
Fabricante
3PEAKAllegro MicroSystemsAlpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBroadcom LimitedDiodes IncorporatedEcon ConnectElantecEPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Serie
-*ADP3413ADP3417Advanced Smart Rectifier™Combi-Sense®CoreControl™DS1679EiceDriver™EiceDRIVER™FLEXMOS™Functional Safety (FuSa)
Embalaje
BandejaCajaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
DigiKey programable
-No verificadoVerificado
Configuración dirigida
-FlotaciónLado alto y lado bajoMedio puenteMedio puente, nivel bajoNivel altoNivel alto o bajoNivel bajoPuente completo
Tipo de canal
3 fases, trifásico-IndependienteSimpleSincrónico
Cantidad de controladores
123468
Tipo de compuerta
-FET GaN de modo mejoradoIGBTIGBT, MOSFET de canal NIGBT, MOSFET de canal N, canal PIGBT, MOSFET SiCMOSFET de canal NMOSFET de canal N, canal PMOSFET de canal N, MOSFET de SiCMOSFET de canal PMOSFET SiC
Voltaje de la fuente
-10V ~ 25V-7V ~ -15V, 14V ~ 18V-3.5V ~ -10V, 13V ~ 25V0V ~ 100V0V ~ 16V0V ~ 18V0.3V ~ 60V1.8V ~ 13.2V1.8V ~ 5.5V1.8V ~ 6V2.35V ~ 7V2.5V ~ 16V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.06V, 2.5V0.08V, 2.5V0.25V, 2.4V0.3V, 1.2V0.3V, 1.7V0.4V, 0.7V0.4V, 1.1V0.4V, 1.2V0.4V, 1.6V0.4V, 2.6V0.4V, 5.5V0.48V, 1.4V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
-50mA, 300mA32µA, 400µA1.2 mA, 1.2 mA5mA20mA, 80mA26mA50mA, -50mA, 50mA60 mA, 130 mA90 mA, 180 mA100mA, 100mA125 mA, 250 mA
Tipo de entrada
-Circuito de entrada RCCMOSCMOS, TTLCMOS, TTLInversiónInversión, No inversorNo inversorPWM, no inversorTTLTTL, Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
1.2 V1.4 V6 V12 V14 V15 V20 V22 V24 V25 V26 V28 V
Tiempo de subida/bajada
375 ps, 350 ps450ps, 450ps500ps, 500ps650ps, 700ps650ps, 850ps900ps, 900ps1ns, 1ns2ns, 1.5ns2.5ns, 2.5ns3ns, 2ns3ns, 3ns4ns, 3.5ns
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 115°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 130°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 85°C (TA)-45°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 100°C
Grado
-Uso automotrizUsos militares
Calificación
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-38535LMIL-STD-883
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
4-UQFNPlaca descubierta 4-UDFN, 4-TMLF®6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-UFBGA, DSBGA6-UFBGA, WLCSP6-XFBGA, WLCSP6-XFDFNPlaca descubierta 6-UDFNPlaca descubierta 6-VDFNPlaca descubierta 6-WDFN7-SMD, conductores planosConductores formados de 7-SSIP
Paquete del dispositivo del proveedor
4-TQFN (1.2x1.2)5-HVSOF5-SSOP6-DFN (2x2)6-DFN (4x5)6-DSBGA6-MicroFET (2x2)6-SON (3x3)6-TDFN (3x3)6-TDFN-EP (3x3)6-TSOP6-UMLP (2x2)
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
6,223Resultados
Demostración
de 6,223
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
DigiKey programable
Configuración dirigida
Tipo de canal
Cantidad de controladores
Tipo de compuerta
Voltaje de la fuente
Voltaje lógico - VIL, VIH
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
Tipo de entrada
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
Tiempo de subida/bajada
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
DT2042-04SOQ-7
ZXGD3009E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
20,527
En stock
63,000
Fábrica
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14089
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
MOSFET de canal N
40V (máx.)
-
2A, 2A
No inversor
-
210ns, 240ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23-6
SOT-26
SOT-23-6
ZXGD3003E6TA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Diodes Incorporated
90,488
En stock
294,000
Fábrica
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.19500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
IGBT, MOSFET de canal N
40V (máx.)
-
5A, 5A
No inversor
-
8.9ns, 8.9ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-6
SOT-23-6
8 SOIC
ADP3110AKRZ-RL
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
onsemi
72,887
En stock
1 : $0.60000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.19771
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Medio puente
Sincrónico
2
MOSFET de canal N
4.6V ~ 13.2V
0.8V, 2V
-
Inversión, No inversor
35 V
20ns, 11ns
0°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
TSOT 25 Top View
DGD0211CWT-7
IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25-5
Diodes Incorporated
8,757
En stock
1,146,000
Fábrica
1 : $0.64000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.24897
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
IGBT, MOSFET de canal N
4.5V ~ 18V
0.8V, 2.4V
1.9A, 1.8A
Inversión, No inversor
-
15ns, 15ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-5 delgado, TSOT-23-5
TSOT-25
SOT 23-5
MCP1416T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
259,454
En stock
1 : $0.74000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.56000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
IGBT, MOSFET de canal N, canal P
4.5V ~ 18V
0.8V, 2.4V
1.5A, 1.5A
No inversor
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT 23-5
MCP1402T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
90,457
En stock
1 : $0.75000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.57000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
IGBT, MOSFET de canal N, canal P
4.5V ~ 18V
0.8V, 2.4V
500mA, 500mA
No inversor
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT 23-5
MCP1401T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
24,938
En stock
1 : $0.75000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.57000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
IGBT, MOSFET de canal N, canal P
4.5V ~ 18V
0.8V, 2.4V
500mA, 500mA
Inversión
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 125°C
-
-
Montaje en superficie
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT 23-5
MCP1415T-E/OT
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
14,375
En stock
1 : $0.75000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.56000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
IGBT, MOSFET de canal N, canal P
4.5V ~ 18V
0.8V, 2.4V
1.5A, 1.5A
Inversión
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT753
UCC27517DBVR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
15,168
En stock
1 : $0.79000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.32485
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
IGBT, MOSFET de canal N
4.5V ~ 18V
1V, 2.4V
4A, 4A
Inversión, No inversor
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
8-SOIC
IX4428NTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Littelfuse Inc.
42,444
En stock
12,000
Fábrica
1 : $0.83000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.44188
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Independiente
2
MOSFET de canal N, canal P
4.5V ~ 30V
0.8V, 2.4V
1.5A, 1.5A
Inversión, No inversor
-
10ns, 8ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
SOT 23-5
1EDN7512BXTSA1
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Infineon Technologies
17,777
En stock
1 : $0.87000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.36146
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
MOSFET de canal N
4.5V ~ 20V
-
4A, 8A
Inversión, No inversor
-
6.5ns, 4.5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-74A, SOT-753
PG-SOT23-5-1
SOT753
UCC27517ADBVR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
7,514
En stock
1 : $0.87000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.36236
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
IGBT, MOSFET de canal N
4.5V ~ 18V
1V, 2.4V
4A, 4A
Inversión, No inversor
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
IX4310TTR
IX4310TTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Littelfuse Inc.
17,967
En stock
33,000
Fábrica
1 : $0.89000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.37923
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
No verificado
Nivel bajo
Independiente
1
MOSFET de canal N, canal P
4.5V ~ 20V
0.8V, 2.5V
2A, 2A
CMOS, TTL
-
7ns, 7ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
4-TQFN (1.2x1.2)
MIC4414YFT-TR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 4TQFN
Microchip Technology
5,045
En stock
1 : $0.89000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.72500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
MOSFET de canal N
4.5V ~ 18V
0.8V, 3V
1.5A, 1.5A
No inversor
-
12ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
4-UQFN
4-TQFN (1.2x1.2)
8-DFN 3x3
IX4427MTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
Littelfuse Inc.
103,360
En stock
1 : $0.91000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.48613
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Independiente
2
MOSFET de canal N, canal P
4.5V ~ 30V
0.8V, 2.4V
1.5A, 1.5A
No inversor
-
10ns, 8ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 8-VDFN
8-DFN (3x3)
IR21271STRPBF
IRS2005STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
37,780
En stock
1 : $0.96000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.40759
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Medio puente
Independiente
2
IGBT, MOSFET de canal N
10V ~ 20V
0.8V, 2.5V
290 mA, 600 mA
No inversor
200 V
70ns, 30ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
IRS25411STRPBF
IRS2008STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
28,384
En stock
1 : $0.96000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.40759
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Medio puente
Sincrónico
2
MOSFET de canal N
10V ~ 20V
0.8V, 2.5V
290 mA, 600 mA
No inversor
200 V
70ns, 30ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
4-TQFN (1.2x1.2)
MIC5019YFT-TR
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 4TQFN
Microchip Technology
47,318
En stock
1 : $1.01000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.80000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel alto
Simple
1
MOSFET de canal N
2.7V ~ 9V
0.8V, 3V
-
No inversor
-
-
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 4-UDFN, 4-TMLF®
4-TQFN (1.2x1.2)
SOT-23-5
FAN3100TSX
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
31,381
En stock
1 : $1.04000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.41911
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
MOSFET de canal N
4.5V ~ 18V
0.8V, 2V
3A, 3A
Inversión, No inversor
-
13ns, 9ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-6 PKG
UCC27511DBVR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Texas Instruments
10,512
En stock
1 : $1.04000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.44081
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
IGBT, MOSFET de canal N
4.5V ~ 18V
1V, 2.4V
4A, 8A
Inversión, No inversor
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-6
SOT-23-6
8-SOIC
LM5109BMAX/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Texas Instruments
29,643
En stock
1 : $1.05000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.38499
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Medio puente
Independiente
2
MOSFET de canal N
8V ~ 14V
0.8V, 2.2V
1A, 1A
No inversor
108 V
15ns, 15ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
DT2042-04SOQ-7
ZXGD3006E6QTA
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
20,575
En stock
492,000
Fábrica
1 : $1.12000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.29082
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
IGBT, MOSFET SiC
40V (máx.)
-
10A, 10A
No inversor
-
48ns, 35ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC Exp Pad
MIC4127YME-TR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Microchip Technology
5,394
En stock
1 : $1.13000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.87000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Independiente
2
MOSFET de canal N
4.5V ~ 20V
0.8V, 2.4V
1.5A, 1.5A
No inversor
-
20ns, 18ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm ancho)
8-SOIC-EP
8-SOIC
MCP1407T-E/SN
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Microchip Technology
7,435
En stock
1 : $1.17000
Cinta cortada (CT)
3,300 : $0.89000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Simple
1
IGBT, MOSFET de canal N, canal P
4.5V ~ 18V
0.8V, 2.4V
6A, 6A
No inversor
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 125°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
8-SOIC
IX4427NTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Littelfuse Inc.
44,242
En stock
32,000
Fábrica
1 : $1.18000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.49985
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
No verificado
Nivel bajo
Independiente
2
MOSFET de canal N, canal P
4.5V ~ 30V
0.8V, 2.4V
1.5A, 1.5A
No inversor
-
10ns, 8ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
Demostración
de 6,223

Conductores de compuerta

Los circuitos integrados de administración de energía (PMIC) del controlador de compuertas son dispositivos que brindan aislamiento, amplificación, cambio de referencia, arranque u otras funciones necesarias para interconectar señales de un dispositivo de control en una aplicación de conversión de energía a los dispositivos semiconductores (generalmente FET o IGBT) a través de los cuales pasa la energía que se controla. Las funciones exactas que ofrece cualquier dispositivo particular varían, pero se correlacionan con la configuración del semiconductor que está adaptada para impulsar.