FET simple, MOSFET

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4Resultados

Demostración
de 4
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT 23-3
BVSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
9,755
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07446
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm a 100mA, 10V
2.8V a 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MMBF0201NLT1G
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
onsemi
6,085
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07752
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
1Ohm a 300mA, 10V
2.4V a 250µA
-
±20V
45 pF @ 5 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TPH2R903PL,L1Q
TPH5R60APL,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Toshiba Semiconductor and Storage
4,914
En stock
1 : $1.70000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.51156
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
60 A (Tc)
4.5V, 10V
5.6mOhm a 30A, 10V
2.5V a 500µA
52 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 50 V
-
960mW (Ta), 132W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
6
En stock
1 : $4.65000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $1.87180
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
25A (Ta), 230A (Tc)
8V, 10V
2.24mOhm a 50A, 10V
3.3V a 147µA
91 nC @ 10 V
±20V
6880 pF @ 50 V
-
3W (Ta), 254W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
Demostración
de 4

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.