FET simple, MOSFET

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PRODUCTO DEL MERCADO
3Resultados

Demostración
de 3
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SC-75
NTA4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
onsemi
182,688
En stock
Activo
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
915mA (Ta)
1.5V, 4.5V
230mOhm a 600mA, 4.5V
1.1V a 250µA
1.82 nC @ 4.5 V
±6V
110 pF @ 16 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
SOT 23
SI2321-TP
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
Micro Commercial Co
16,751
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08610
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
2.9 A (Ta)
4.5V
110mOhm a 2.2A, 10V
900mV a 250µA
13 nC @ 4.5 V
±12V
715 pF @ 6 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8 SOICE
DMT68M8LSS-13
MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
Diodes Incorporated
4,900
En stock
5,000
Fábrica
1 : $0.87000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.17646
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
28.9 A (Tc)
4.5V, 10V
8.5mOhm a 13.5A, 10V
3V a 250µA
31.8 nC @ 10 V
±20V
2107 pF @ 30 V
-
1.9W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Demostración
de 3

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.