FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
BSS138 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 onsemi	77,437 En stock	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04488 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	170mA	4.5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	1.6V a 250µA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML5103TRPBF MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 Infineon Technologies	19,904 En stock	1 : $0.39000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09030 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	760mA (Ta)	4.5V, 10V	600mOhm a 600mA, 10V	1V a 250µA	5.1 nC @ 10 V	±20V	75 pF @ 25 V	-	540mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSH103BKR BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC Nexperia USA Inc.	8,532 En stock	1 : $0.33000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06120 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1 A (Ta)	1.8V, 4.5V	270mOhm a 1A, 4.5V	1.25V a 250µA	1.2 nC @ 4.5 V	±12V	79.3 pF @ 15 V	-	330mW (Ta), 2.1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2309CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	11,060 En stock	1 : $0.64000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16800 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.6 A (Tc)	4.5V, 10V	345mOhm a 1.25A, 10V	3V a 250µA	4.1 nC @ 4.5 V	±20V	210 pF @ 30 V	-	1W (Ta), 1.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.