FET simple, MOSFET

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2Resultados

Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
CSD18535KTT
CSD19536KTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Texas Instruments
500
En stock
1 : $5.49000
Cinta cortada (CT)
500 : $2.17962
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
200 A (Ta)
6V, 10V
2.4mOhm a 100A, 10V
3.2V a 250µA
153 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (DDPAK-3)
TO-263-4, D2PAK (3 conductores + pestaña), TO-263AA
5 DFN
NTMFS4D2N10MDT1G
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
onsemi
1,954
En stock
1 : $3.12000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $1.01520
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
16.4A (Ta), 113A (Tc)
6V, 10V
4.3mOhm a 46A, 10V
4V a 239µA
60 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 50 V
-
2.8W (Ta), 132W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.