FET simple, MOSFET

Resultados : 2
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®Granel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
21 A (Ta), 60 A (Tc)32 A (Ta), 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
2.5V, 8V3V, 8V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2mOhm a 30A, 8V4.5mOhm a 20A, 8V
Vgs(th) (máx) a Id
1.1V a 250µA1.6V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
9.2 nC @ 4.5 V31 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1350 pF @ 12.5 V4280 pF @ 15 V
Disipación de potencia (Máx.)
3W (Ta)3.2W (Ta)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)8-VSON-CLIP (5x6)
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
2Resultados
Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
CSD1632x Series 8-SON
CSD16340Q3
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Texas Instruments
800
En stock
1 : $1.73000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.45923
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
21 A (Ta), 60 A (Tc)
2.5V, 8V
4.5mOhm a 20A, 8V
1.1V a 250µA
9.2 nC @ 4.5 V
+10V, -8V
1350 pF @ 12.5 V
-
3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17311Q5
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Texas Instruments
2,608
En stock
5,187
Mercado
1 : $2.72000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.81598
Cinta y rollo (TR)
324 : $0.93000
Granel
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
32 A (Ta), 100 A (Tc)
3V, 8V
2mOhm a 30A, 8V
1.6V a 250µA
31 nC @ 4.5 V
+10V, -8V
4280 pF @ 15 V
-
3.2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
8-VSON-CLIP (5x6)
8-PowerTDFN
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.