FET simple, MOSFET

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2Resultados

Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT223-3L
IRFL4310TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Infineon Technologies
8,613
En stock
1 : $0.93000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.23324
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
1.6 A (Ta)
10V
200mOhm a 1.6A, 10V
4V a 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 25 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
TL431BFDT-QR
PMV30XPEAR
MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
12,753
En stock
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10920
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.5 A (Ta)
2.5V, 4.5V
34mOhm a 3A, 4.5V
1.25V a 250µA
17 nC @ 4.5 V
±12V
1465 pF @ 10 V
-
490mW (Ta), 5.435W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.