FET simple, MOSFET

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10Resultados

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de 10
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3 AC EP
IRFP4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC
Infineon Technologies
1,109
En stock
1 : $4.40000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
65 A (Tc)
10V
25mOhm a 46A, 10V
5V a 250µA
98 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
330W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
PG-TO247-3
IRF300P227
MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Infineon Technologies
560
En stock
1 : $7.88000
Tubo
Tubo
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
50 A (Tc)
10V
40mOhm a 30A, 10V
4V a 270µA
107 nC @ 10 V
±20V
4893 pF @ 50 V
-
313W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247
IXFH56N30X3
MOSFET N-CH 300V 56A TO247
Littelfuse Inc.
836
En stock
1 : $11.44000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
56 A (Tc)
10V
27mOhm a 28A, 10V
4.5V a 1.5mA
56 nC @ 10 V
±20V
3750 pF @ 25 V
-
320W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 (IXTH)
TO-247-3
TO-264-3, TO-264AA
FDL100N50F
MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3
onsemi
335
En stock
1 : $18.01000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
100 A (Tc)
10V
55mOhm a 50A, 10V
5V a 250µA
238 nC @ 10 V
±30V
12000 pF @ 25 V
-
2500W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-264-3
TO-264-3, TO-264AA
PG-TO220-3-1
IPP200N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Infineon Technologies
5,556
En stock
1 : $6.64000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
64 A (Tc)
10V
20mOhm a 64A, 10V
4V a 270µA
86 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-247
IXFH100N30X3
MOSFET N-CH 300V 100A TO247
Littelfuse Inc.
116
En stock
1 : $9.36000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
100 A (Tc)
10V
13.5mOhm a 50A, 10V
4.5V a 4mA
122 nC @ 10 V
±20V
7660 pF @ 25 V
-
480W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 (IXTH)
TO-247-3
PG-TO247-3
IPW60R031CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Infineon Technologies
202
En stock
1 : $10.83000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
63 A (Tc)
10V
31mOhm a 32.6A, 10V
4.5V a 1.63mA
141 nC @ 10 V
±20V
5623 pF @ 400 V
-
278W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247
IXFH94N30P3
MOSFET N-CH 300V 94A TO247
Littelfuse Inc.
187
En stock
1 : $12.64000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
94 A (Tc)
10V
36mOhm a 47A, 10V
5V a 4mA
102 nC @ 10 V
±20V
5510 pF @ 25 V
-
1040W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 (IXTH)
TO-247-3
TO-268HV
IXFT100N30X3HV
MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV
Littelfuse Inc.
550
En stock
1 : $14.19000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
100 A (Tc)
10V
13.5mOhm a 50A, 10V
4.5V a 4mA
122 nC @ 10 V
±20V
7660 pF @ 25 V
-
480W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-268HV (IXFT)
TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $19.67000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
109 A (Tc)
10V
17mOhm a 58.2A, 10V
4V a 2.91mA
240 nC @ 10 V
±20V
9890 pF @ 400 V
-
446W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
Demostración
de 10

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.