FET simple, MOSFET

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8Resultados

Demostración
de 8
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
1,250,320
En stock
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02550
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 50mA, 5V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2305UX-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
212,792
En stock
6,750,000
Fábrica
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05145
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
52mOhm a 4.2A, 4.5V
900mV a 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
390,421
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03162
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Tc)
10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCV27
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
20,139
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04284
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
220mA (Ta)
2.7V, 4.5V
4Ohm a 400mA, 4.5V
1.06V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
366,210
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04725
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.8 A (Ta)
4.5V, 10V
65mOhm a 3.8A, 10V
2.1V a 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
243,199
En stock
3,864,000
Fábrica
1 : $0.12000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02652
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
310mA (Ta)
5V, 10V
3Ohm a 115mA, 10V
2V a 250µA
0.87 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2004K-7
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
900,469
En stock
351,000
Fábrica
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04369
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
600mA (Ta)
1.8V, 4.5V
900mOhm a 430mA, 4.5V
1V a 250µA
-
±8V
175 pF @ 16 V
-
550mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2046U-7
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
Diodes Incorporated
230,525
En stock
690,000
Fábrica
1 : $0.32000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05100
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.4 A (Ta)
2.5V, 4.5V
72mOhm a 3.6A, 4.5V
1.4V a 250µA
3.8 nC @ 4.5 V
±12V
292 pF @ 10 V
-
760mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 8

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.