FET simple, MOSFET

Resultados : 5
Fabricante
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
Serie
-TrenchMOS™
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V50 V60 V100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
180mA (Ta)200mA200mA (Ta)210mA (Ta)220mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
2.7V, 4.5V4.5V, 10V5V5V, 10V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3.5Ohm a 200mA, 5V4Ohm a 400mA, 4.5V5Ohm a 200mA, 10V5Ohm a 500mA, 10V7.5Ohm a 100mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1.06V a 250µA1.5V a 1mA2.1V a 250µA2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.35 nC @ 5 V0.7 nC @ 4.5 V0.821 nC @ 10 V1.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±8V±20V±40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
9.5 pF @ 10 V14 pF @ 25 V22 pF @ 25 V36 pF @ 25 V50 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
225mW (Ta)350mW (Ta)350mW (Ta), 1.14W (Tc)570mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)150°C (TJ)
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)TO-236AB
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
5Resultados

Demostración
de 5
Comparar
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
668,207
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03817
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
180mA (Ta)
10V
7.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
403,537
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05491
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
220mA (Ta)
2.7V, 4.5V
4Ohm a 400mA, 4.5V
1.06V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
46,827
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06332
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
200mA
4.5V, 10V
5Ohm a 200mA, 10V
2.5V a 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
126,326
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06451
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
5V
3.5Ohm a 200mA, 5V
1.5V a 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN67D7L-7
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Diodes Incorporated
22,888
En stock
72,000
Fábrica
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04375
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
210mA (Ta)
5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.821 nC @ 10 V
±40V
22 pF @ 25 V
-
570mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 5

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.