FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
2N7002,215 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Nexperia USA Inc.	455,302 En stock	1 : $0.24000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04817 Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Tc)	10V	5Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	-	±30V	50 pF @ 10 V	-	830mW (Ta)	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3402L-7 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Diodes Incorporated	224,684 En stock 4,755,000 Fábrica	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07678 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4 A (Ta)	2.5V, 10V	52mOhm a 4A, 10V	1.4V a 250µA	11.7 nC @ 10 V	±12V	464 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3404L-7 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 Diodes Incorporated	774 En stock 3,477,000 Fábrica	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07263 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	3V, 10V	28mOhm a 5.8A, 10V	2V a 250µA	9.2 nC @ 10 V	±20V	386 pF @ 15 V	-	720mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Demostración

de 3

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.