FET simple, MOSFET

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Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SIR401DP-T1-GE3
SIR876ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,975
En stock
1 : $2.01000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.68973
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
40 A (Tc)
4.5V, 10V
10.8mOhm a 20A, 10V
2.8V a 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
1630 pF @ 50 V
-
5W (Ta), 62.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $8.02000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $3.67001
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
100 V
101A (Ta)
5V
1.8mOhm a 50A, 5V
2.5V a 14mA
23 nC @ 5 V
+6V, -4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
7-QFN (3x5)
7-PowerWQFN
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.