FET simple, MOSFET

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7Resultados

Demostración
de 7
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
177,489
En stock
3,460,000
Fábrica
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.05057
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
52mOhm a 4.2A, 4.5V
900mV a 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SQ2337ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
279,560
En stock
1 : $1.06000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.22890
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
80 V
2.2 A (Tc)
6V, 10V
290mOhm a 1.2A, 10V
2.5V a 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 40 V
-
3W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
PMV450ENEAR
MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
37,967
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04590
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
800mA (Ta)
4.5V, 10V
380mOhm a 900mA, 10V
2.7V a 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
101 pF @ 30 V
-
323mW (Ta), 554mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
544,836
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04284
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1.4 A (Ta)
4.5V, 10V
160mOhm a 1.4A, 10V
2V a 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2DB1184Q-13
DMP4015SK3-13
MOSFET P-CH 40V 14A TO252
Diodes Incorporated
1,730
En stock
332,500
Fábrica
1 : $1.38000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.34440
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
11mOhm a 9.8A, 10V
2.5V a 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
3.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PJD14P06A-AU_L2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
8,336
En stock
1 : $1.01000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.24699
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
3.2A (Ta), 14A (Tc)
4.5V, 10V
110mOhm a 6A, 10V
2.5V a 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 30 V
-
2W (Ta), 40W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-261-4, TO-261AA
PJW4P06A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $0.65000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.13965
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
4 A (Ta)
4.5V, 10V
110mOhm a 4A, 10V
2.5V a 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 30 V
-
3.1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
Demostración
de 7

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.