FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
DMP3099L-7 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 Diodes Incorporated	375,581 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06354 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8 A (Ta)	4.5V, 10V	65mOhm a 3.8A, 10V	2.1V a 250µA	5.2 nC @ 4.5 V	±20V	563 pF @ 25 V	-	1.08W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3068L-7 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Diodes Incorporated	54,305 En stock	1 : $0.35000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07510 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.3 A (Ta)	1.8V, 10V	72mOhm a 4.2A, 10V	1.3V a 250µA	15.9 nC @ 10 V	±12V	708 pF @ 15 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 Vishay Siliconix	19,739 En stock	1 : $1.13000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.28279 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	7.1 A (Tc)	1.8V, 4.5V	35mOhm a 5.1A, 4.5V	1V a 250µA	25 nC @ 4.5 V	±8V	1225 pF @ 6 V	-	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Demostración

de 3

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.