FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IRFS4127TRLPBF MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK Infineon Technologies	15,385 En stock	1 : $3.73000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.33303 Cinta y rollo (TR)	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	72 A (Tc)	10V	22mOhm a 44A, 10V	5V a 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	5380 pF @ 50 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
BUK7Y102-100B,115 MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	2,450 En stock	1 : $1.22000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.33643 Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	15 A (Tc)	10V	102mOhm a 5A, 10V	4V a 1mA	12.2 nC @ 10 V	±20V	779 pF @ 25 V	-	60W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PMT280ENEAX MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Nexperia USA Inc.	1,944 En stock	1 : $0.67000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.18208 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.5 A (Ta)	4.5V, 10V	385mOhm a 1.5A, 10V	2.7V a 250µA	6.8 nC @ 10 V	±20V	195 pF @ 50 V	-	770mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA

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de 3

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.