FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)

DMN2056U-7 MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3 Diodes Incorporated	152,735 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08016 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4 A (Ta)	1.5V, 4.5V	38mOhm a 3.6A, 4.5V	1V a 250µA	4.3 nC @ 4.5 V	±8V	339 pF @ 10 V	-	940mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP6180SK3Q-13 MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252 Diodes Incorporated	30,856 En stock 2,512,500 Fábrica	1 : $0.78000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.23484 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	14 A (Tc)	4.5V, 10V	110mOhm a 12A, 10V	2.7V a 250µA	17.1 nC @ 10 V	±20V	984.7 pF @ 30 V	-	1.7W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SQ3495EV-T1_GE3 MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Vishay Siliconix	15,203 En stock	1 : $0.83000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.22000 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	8 A (Tc)	2.5V, 10V	21mOhm a 5A, 4.5V	1.4V a 250µA	41 nC @ 4.5 V	±12V	3950 pF @ 20 V	-	5W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-TSOP	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
STL120N8F7 MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT STMicroelectronics	4,573 En stock	1 : $2.50000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.93175 Cinta y rollo (TR)	STripFET™ F7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	120 A (Tc)	10V	4.4mOhm a 11.5A, 10V	4V a 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	4570 pF @ 25 V	-	4.8W (Ta), 140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerFlat™ (5x6)	8-PowerVDFN

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de 4

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.