FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
FDMS86101 MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN onsemi	13,765 En stock	1 : $2.82000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.90813 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	12.4 A (Ta), 60 A (Tc)	6V, 10V	8mOhm a 13A, 10V	4V a 250µA	55 nC @ 10 V	±20V	3000 pF @ 50 V	-	2.5W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PQFN (5x6)	8-PowerTDFN
IPT007N06NATMA1 MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF Infineon Technologies	11,310 En stock	1 : $6.07000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $2.90063 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300 A (Tc)	6V, 10V	0.75mOhm a 150A, 10V	3.3V a 280µA	287 nC @ 10 V	±20V	16000 pF @ 30 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-HSOF-8-1	8-PowerSFN
DMP10H4D2S-7 MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23 Diodes Incorporated	69,523 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06941 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	270mA (Ta)	4V, 10V	4.2Ohm a 500mA, 10V	3V a 250µA	1.8 nC @ 10 V	±20V	87 pF @ 25 V	-	380mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI4431CDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 9A 8SO Vishay Siliconix	33,069 En stock	1 : $0.92000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.40845 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	9 A (Tc)	4.5V, 10V	32mOhm a 7A, 10V	2.5V a 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	1006 pF @ 15 V	-	2.5W (Ta), 4.2W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.