FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
SSM3K15AFU,LF MOSFET N-CH 30V 100MA USM Toshiba Semiconductor and Storage	78,086 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03923 Cinta y rollo (TR)	U-MOSIII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	100mA (Ta)	2.5V, 4V	3.6Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 100µA	-	±20V	13.5 pF @ 3 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	USM	SC-70, SOT-323
IPD075N03LGATMA1 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Infineon Technologies	11,835 En stock	1 : $0.52000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.29137 Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	50 A (Tc)	4.5V, 10V	7.5mOhm a 30A, 10V	2.2V a 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	1900 pF @ 15 V	-	47W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3-11	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIHFR9310TRL-GE3 MOSFET P-CHANNEL 400V Vishay Siliconix	5,880 En stock	1 : $1.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.30267 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	400 V	1.8 A (Tc)	10V	7Ohm a 1.1A, 10V	4V a 250µA	13 nC @ 10 V	±20V	270 pF @ 25 V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

Demostración

de 3

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.