FET simple, MOSFET

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Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
8-Power TDFN
BSC028N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
3,036
En stock
1 : $2.42000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.94178
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
23 A (Ta), 100 A (Tc)
6V, 10V
2.8mOhm a 50A, 10V
2.8V a 50µA
37 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.5W (Ta), 83W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ42DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Infineon Technologies
15,037
En stock
1 : $1.08000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.46875
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
5 A (Tc)
10V
425mOhm a 2.5A, 10V
4V a 13µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 100 V
-
33.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TSDSON-8-2
8-PowerTDFN
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.