FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	1,066,128 En stock	1 : $0.17000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.02550 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7.5Ohm a 50mA, 5V	2.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMBF170,215 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Nexperia USA Inc.	222,665 En stock	No para diseños nuevos	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	2V a 1mA	-	±20V	40 pF @ 10 V	-	830mW (Tc)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJC138K-AU_R1_000A1 SOT-323, MOSFET Panjit International Inc.	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06331 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	360mA (Ta)	2.5V, 10V	1.6Ohm a 500mA, 10V	1.5V a 250µA	1 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	236mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.