FET simple, MOSFET

Resultados : 3
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
50 V60 V100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
115mA (Ta)130mA (Ta)600mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V5V, 10V6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1Ohm a 600mA, 10V7.5Ohm a 50mA, 5V10Ohm a 100mA, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 1mA2V a 250µA4V a 250µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
45 pF @ 25 V50 pF @ 25 V141 pF @ 50 V
Disipación de potencia (Máx.)
150mW (Ta)200mW (Ta)625mW (Ta)
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3SOT-323SOT-523
Paquete / Caja (carcasa)
SC-70, SOT-323SOT-523TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
3Resultados

Demostración
de 3
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
269,613
En stock
2,043,000
Fábrica
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06407
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-523
2N7002T-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Diodes Incorporated
86,319
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06407
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
ZXMP10A13FTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
18,505
En stock
3,000,000
Fábrica
1 : $0.65000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.18535
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
600mA (Ta)
6V, 10V
1Ohm a 600mA, 10V
4V a 250µA
3.5 nC @ 10 V
±20V
141 pF @ 50 V
-
625mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 3

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.