FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
DMN3404L-7 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 Diodes Incorporated	194,287 En stock	1 : $0.35000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06426 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	3V, 10V	28mOhm a 5.8A, 10V	2V a 250µA	9.2 nC @ 10 V	±20V	386 pF @ 15 V	-	720mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J132TU,LF MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	7,440 En stock	1 : $0.56000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17535 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	5.4 A (Ta)	1.2V, 4.5V	17mOhm a 5A, 4.5V	1V a 1mA	33 nC @ 4.5 V	±6V	2700 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	UFM	3-SMD, conductores planos
NVMJS1D6N06CLTWG MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK onsemi	9,865 En stock 9,000 Fábrica	1 : $3.54000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.14700 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	38 A (Ta), 250 A (Tc)	4.5V, 10V	1.36mOhm a 50A, 10V	2V a 250µA	91 nC @ 10 V	±20V	6660 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 167W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	8-LFPAK	SOT-1205, 8-LFPAK56

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.