FET simple, MOSFET

Demostración

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	Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
	IRF5305PBF MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB Infineon Technologies	29,090 En stock	1 : $1.77000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	31 A (Tc)	10V	60mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
	TJ40S04M3L(T6L1,NQ MOSFET P-CH 40V 40A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	1,744 En stock	1 : $1.51000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.64687 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	40 A (Ta)	6V, 10V	9.1mOhm a 20A, 10V	3V a 1mA	83 nC @ 10 V	+10V, -20V	4140 pF @ 10 V	-	68W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK+	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.