FET simple, MOSFET

Resultados : 3
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes Incorporated
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V30 V60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
4.2 A (Ta)6.2 A (Ta)85 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
2.5V, 4.5V4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.85mOhm a 20A, 10V40mOhm a 6.2A, 10V45mOhm a 1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1.2V a 250µA2.2V a 250µA3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
1.9 nC @ 4.5 V55 nC @ 10 V65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
-20V±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
425 pF @ 10 V2900 pF @ 30 V3100 pF @ 15 V
Disipación de potencia (Máx.)
650mW (Ta)3.1W (Ta)50W (Tc)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DFN (5x6)8-SOICX2-DSN1010-3
Paquete / Caja (carcasa)
3-XFDFN8-PowerSMD, conductores planos8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
3Resultados

Demostración
de 3
Comparar
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC
AO4421
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
358,193
En stock
1 : $0.57000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.26750
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
6.2 A (Ta)
4.5V, 10V
40mOhm a 6.2A, 10V
3V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 30 V
-
3.1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
X4-DSN1006-3
DMP2043UCA3-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Diodes Incorporated
4,588
En stock
865,000
Fábrica
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.13829
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.2 A (Ta)
2.5V, 4.5V
45mOhm a 1A, 4.5V
1.2V a 250µA
1.9 nC @ 4.5 V
-20V
425 pF @ 10 V
-
650mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
X2-DSN1010-3
3-XFDFN
8-DFN
AON6312
MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,144
En stock
1 : $1.04000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.43152
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
85 A (Tc)
4.5V, 10V
1.85mOhm a 20A, 10V
2.2V a 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 15 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, conductores planos
Demostración
de 3

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.