FET simple, MOSFET

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Demostración
de 4
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
AO3422
AO3401A
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
468,204
En stock
1 : $0.46000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10063
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4 A (Ta)
2.5V, 10V
44mOhm a 4.3A, 10V
1.3V a 250µA
12.2 nC @ 4.5 V
±12V
1200 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variante
155,156
En stock
1 : $0.71000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.15541
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
24 A (Tc)
4.5V, 10V
16.5mOhm a 12A, 10V
2.3V a 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
4.1W (Ta), 24W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
16,200
En stock
1 : $0.96000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.26928
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
48 A (Tc)
4.5V, 10V
9.7mOhm a 15A, 4.5V
2.4V a 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 20 V
-
69W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
3,791
En stock
1 : $1.39000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.40277
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
20A (Ta), 120A (Tc)
6V, 10V
3.85mOhm a 60A, 10V
3.3V a 52µA
68 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 30 V
-
3W (Ta), 107W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Demostración
de 4

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.