FET simple, MOSFET

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4Resultados

Demostración
de 4
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TL431BFDT-QR
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
67,320
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02792
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3125L-7
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Diodes Incorporated
501,001
En stock
360,000
Fábrica
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05824
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
2.5 A (Ta)
4.5V, 10V
95mOhm a 3.8A, 10V
2.1V a 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
254 pF @ 25 V
-
650mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI9407BDY-T1-GE3
SQ4425EY-T1_BE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Vishay Siliconix
2,663
En stock
1 : $2.67000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.79574
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
18 A (Tc)
4.5V, 10V
12mOhm a 13A, 10V
2.5V a 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
3630 pF @ 25 V
-
6.8W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
PowerPak SC-70-6 Single
SIA413ADJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
2,900
En stock
1 : $1.44000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.37562
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
12 A (Tc)
1.5V, 4.5V
29mOhm a 6.7A, 4.5V
1V a 250µA
57 nC @ 8 V
±8V
1800 pF @ 10 V
-
19W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SC-70-6 simple
PowerPAK® SC-70-6
Demostración
de 4

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.