FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
2N7002K-T1-E3 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Vishay Siliconix	340,352 En stock	1 : $0.24000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07500 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	2Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	30 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2400UFB-7 MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN Diodes Incorporated	550,445 En stock 147,000 Fábrica	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04692 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	550mOhm a 600mA, 4.5V	900mV a 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±12V	36 pF @ 16 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
CSD15380F3 MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Texas Instruments	46,417 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05508 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	500mA (Ta)	2.8V, 8V	1190mOhm a 100mA, 8V	1.35V a 2.5µA	0.281 nC @ 10 V	10V	10.5 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
SI1416EDH-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 Vishay Siliconix	18,888 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13056 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.9 A (Tc)	2.5V, 10V	58mOhm a 3.1A, 10V	1.4V a 250µA	12 nC @ 10 V	±12V	-	-	2.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-6	6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.