FET simple, MOSFET

Resultados : 2
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
50 V100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
5.6 A (Tc)9.9 A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
280mOhm a 5.7A, 10V540mOhm a 3.4A, 10V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
8.3 nC @ 10 V14 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
180 pF @ 25 V490 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
42W (Tc)43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220ABTO-251AA
Paquete / Caja (carcasa)
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AATO-220-3
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
2Resultados
Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SIHP23N60E-GE3
IRF510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
39,832
En stock
1 : $1.32000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
5.6 A (Tc)
10V
540mOhm a 3.4A, 10V
4V a 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
43W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
IRFU110PBF
IRFU9020PBF
MOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AA
Vishay Siliconix
8,140
En stock
1 : $2.10000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
9.9 A (Tc)
10V
280mOhm a 5.7A, 10V
4V a 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-251AA
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.