FET simple, MOSFET

Demostración

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	Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
	EPC2016C GANFET N-CH 100V 18A DIE EPC	57,745 En stock	1 : $3.40000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.08750 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	18 A (Ta)	5V	16mOhm a 11A, 5V	2.5V a 3mA	4.5 nC @ 5 V	+6V, -4V	420 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
	DMT6007LFG-13 MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333 Diodes Incorporated	0 En stock Consultar el plazo de entrega	3,000 : $0.41593 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	15 A (Ta), 80 A (Tc)	4.5V, 10V	6mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	41.3 nC @ 10 V	±20V	2090 pF @ 30 V	-	2.2W (Ta), 62.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.