FET simple, MOSFET

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13Resultados

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de 13
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TL431BFDT-QR
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
473,762
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03250
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
180mA (Ta)
10V
7.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
387,599
En stock
990,000
Fábrica
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04083
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
350mA (Ta)
2.5V, 10V
2.8Ohm a 250mA, 10V
1.5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN62D0U-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Diodes Incorporated
93,060
En stock
3,990,000
Fábrica
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05164
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
1.8V, 4.5V
2Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
380mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
146,957
En stock
1 : $0.30000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06354
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.8 A (Ta)
4.5V, 10V
65mOhm a 3.8A, 10V
2.1V a 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMDT5111W
2N7002W
MOSFET SOT-323 N 60V 0.115A 13.5
Diotec Semiconductor
2,256
En stock
1 : $0.10000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02065
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
13.5Ohm a 500mA, 10V
2V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
272,167
En stock
5,064,000
Fábrica
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02606
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
310mA (Ta)
5V, 10V
3Ohm a 115mA, 10V
2V a 250µA
0.87 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
10,774
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03505
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
250mA (Ta)
1.2V, 4.5V
1.4Ohm a 150mA, 4.5V
1V a 100µA
-
±10V
42 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
VESM
SOT-723
SOT-23-3
DMN3731U-7
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Diodes Incorporated
50,648
En stock
81,000
Fábrica
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03741
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
900mA (Ta)
1.8V, 4.5V
460mOhm a 200mA, 4.5V
950mV a 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
73 pF @ 25 V
-
400mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2301L-13
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
8,846
En stock
670,000
Fábrica
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04297
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3 A (Ta)
2.5V, 4.5V
120mOhm a 2.8A, 4.5V
1.2V a 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MS23P05
MS23P05
P-CH MOSFET,-20V,-3.1A,SOT-23
Bruckewell
1,235
Mercado
1 : $0.13000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Ta)
1.8V, 10V
55mOhm a 3A, 10V
1.2V a 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
686 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSFC1208
BSS84AKW
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.3A, -60
Good-Ark Semiconductor
9,580
En stock
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02833
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
4Ohm a 300mA, 10V
2V a 250µA
-
±20V
41 pF @ 25 V
-
270mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
BSS84
BSS84
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
111,217
En stock
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02845
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
4.5V, 10V
8Ohm a 150mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
30 pF @ 30 V
-
225mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BAT54
GSF2301
MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -20V,
Good-Ark Semiconductor
6,434
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04414
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3 A (Ta)
2.5V, 4.5V
110mOhm a 3A, 4.5V
1V a 250µA
12 nC @ 2.5 V
±12V
405 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 13

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.