Transistores - FET, MOSFET - Individual

Resultados : 4
Fabricante
Diodes IncorporatedTexas Instruments
Serie
-FemtoFET™
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
180mA (Ta)500mA (Ta)2.2 A (Ta)4.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.8V, 4.5V2.8V, 8V4.5V, 10V5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
52mOhm a 4.2A, 4.5V65mOhm a 1A, 10V1190mOhm a 100mA, 8V10Ohm a 100mA, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
900mV a 250µA1.35V a 2.5µA2V a 1mA2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.281 nC @ 10 V0.56 nC @ 10 V10.2 nC @ 4.5 V14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±8V10V±20V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
10.5 pF @ 10 V24.6 pF @ 25 V777 pF @ 30 V808 pF @ 15 V
Disipación de potencia (Máx.)
310mW (Ta)500mW (Ta)1.4W (Ta)
Paquete del dispositivo del proveedor
3-PICOSTARSOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)
3-SMD, sin conductor3-XFDFNTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
4Resultados
Demostración
de 4
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
CSDxxxxxF3x
CSD15380F3
MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Texas Instruments
78,524
En stock
1 : $0.32000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06690
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
500mA (Ta)
2.8V, 8V
1190mOhm a 100mA, 8V
1.35V a 2.5µA
0.281 nC @ 10 V
10V
10.5 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
3-PICOSTAR
3-XFDFN
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
114,656
En stock
110,000
Fábrica
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04931
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
52mOhm a 4.2A, 4.5V
900mV a 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSDxxxxxF5x
CSD18541F5
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Texas Instruments
1,322
En stock
1 : $0.54000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11620
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
2.2 A (Ta)
4.5V, 10V
65mOhm a 1A, 10V
2.2V a 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
777 pF @ 30 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
3-PICOSTAR
3-SMD, sin conductor
SOT-23-3
DMP610DL-7
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
109
En stock
1,422,000
Fábrica
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03951
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
180mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
0.56 nC @ 10 V
±30V
24.6 pF @ 25 V
-
310mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 4

Transistores - FET, MOSFET - Individual

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.