FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
BSS138 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 onsemi	276,017 En stock	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05578 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	170mA	4.5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	1.6V a 250µA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ATP304-TL-H MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK onsemi	11,229 En stock 51,000 Fábrica	1 : $5.86000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $2.36100 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	100 A (Ta)	4.5V, 10V	6.5mOhm a 50A, 10V	-	250 nC @ 10 V	±20V	13000 pF @ 20 V	-	90W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	ATPAK	ATPAK (2 conductores+pestaña)
AOSS21311C MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	3,089 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10063 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4.3 A (Ta)	4.5V, 10V	45mOhm a 4.3A, 10V	2.2V a 250µA	23 nC @ 10 V	±20V	720 pF @ 15 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variante

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de 3

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.