FET simple, MOSFET

Resultados : 2
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
Excluir
2Resultados

Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
AO3422
AO3422
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
351,594
En stock
1 : $0.54000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11976
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
2.1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
160mOhm a 2.1A, 4.5V
2V a 250µA
3.3 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 25 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variante
TL431BFDT-QR
PMV213SN,215
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Nexperia USA Inc.
246,476
En stock
1 : $0.53000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.16304
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
1.9 A (Tc)
10V
250mOhm a 500mA, 10V
4V a 1mA
7 nC @ 10 V
±30V
330 pF @ 20 V
-
280mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.