FET simple, MOSFET

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	Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
	IXTT90P10P MOSFET P-CH 100V 90A TO268 Littelfuse Inc.	212 En stock	1 : $16.11000 Tubo	PolarP™	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	90 A (Tc)	10V	25mOhm a 45A, 10V	4V a 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	5800 pF @ 25 V	-	462W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-268AA	TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
	SI4056DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO Vishay Siliconix	2,239 En stock	1 : $1.29000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.33929 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	11.1 A (Tc)	4.5V, 10V	23mOhm a 15A, 10V	2.8V a 250µA	29.5 nC @ 10 V	±20V	900 pF @ 50 V	-	2.5W (Ta), 5.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

Demostración

de 2

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.