FET simple, MOSFET

Resultados : 2
Fabricante
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
Serie
-π-MOSVI
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
100mA (Ta)750mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.5V, 4V1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
460mOhm a 200mA, 4.5V3Ohm a 10mA, 4V
Vgs(th) (máx) a Id
950mV a 250µA1.1V a 100µA
Vgs (máx.)
±8V±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
9.3 pF @ 3 V64.3 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
150mW (Ta)470mW (Ta)
Paquete del dispositivo del proveedor
USMX2-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa)
3-XFDFNSC-70, SOT-323
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
2Resultados
Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
26,101
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04793
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.5V, 4V
3Ohm a 10mA, 4V
1.1V a 100µA
-
±10V
9.3 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
USM
SC-70, SOT-323
X2-DFN1006-3
DMN3730UFB4-7
MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Diodes Incorporated
16,263
En stock
1,827,000
Fábrica
1 : $0.72000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15253
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
750mA (Ta)
1.8V, 4.5V
460mOhm a 200mA, 4.5V
950mV a 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
64.3 pF @ 25 V
-
470mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.