FET simple, MOSFET

Resultados : 28
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Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
28Resultados
Demostración
de 28
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-TO263-7-12
IMBG120R140M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Infineon Technologies
751
En stock
1 : $7.37000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.07550
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
18 A (Tc)
-
189mOhm a 6A, 18V
5.7V a 2.5mA
13.4 nC @ 18 V
+18V, -15V
491 pF @ 800 V
-
107W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IPW65R099CFD7AXKSA1
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Infineon Technologies
643
En stock
1 : $10.03000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
36 A (Tc)
15V, 18V
78mOhm a 13A, 18V
5.7V a 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V, -7V
1060 pF @ 800 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
PG-TO247-4-1
IMZ120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Infineon Technologies
322
En stock
1 : $10.51000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
36 A (Tc)
15V, 18V
78mOhm a 13A, 18V
5.7V a 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V, -7V
1060 pF @ 800 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-1
TO-247-4
300
En stock
1 : $13.19000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
55 A (Tc)
15V, 18V
54.4mOhm a 19.3A, 18V
5.2V a 8.3mA
51 nC @ 18 V
+20V, -5V
1620 pF @ 800 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-8
TO-247-4
PG-TO263-7-12
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Infineon Technologies
624
En stock
1 : $14.82000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $6.25262
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
47 A (Tc)
-
63mOhm a 16A, 18V
5.7V a 7.5mA
46 nC @ 18 V
+18V, -15V
1527 pF @ 800 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UJ4SC075006K4S
UF4SC120023K4S
1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA
onsemi
1,438
En stock
1 : $20.01000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
1200 V
53 A (Tc)
12V
29mOhm a 40A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1430 pF @ 800 V
-
385W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
340
En stock
1 : $21.15000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
98 A (Tc)
15V, 18V
26.9mOhm a 41A, 18V
5.2V a 17.6mA
109 nC @ 18 V
+20V, -5V
3460 pF @ 800 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-8
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,251
En stock
1 : $22.53000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
90 A (Tc)
15V
36mOhm a 50A, 15V
2.69V a 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
169
En stock
1 : $27.85000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
127A (Tc)
15V, 18V
18.4mOhm a 54.3A, 18V
5.2V a 23.4mA
145 nC @ 18 V
+20V, -5V
4580 pF @ 25 V
-
455W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-8
TO-247-4
C2D10120D
C2M0080120D
SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
295
En stock
1 : $29.82000
Granel
Granel
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
36 A (Tc)
20V
98mOhm a 20A, 20V
4V a 5mA
62 nC @ 5 V
+25V, -10V
950 pF @ 1000 V
-
192W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NVHL020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
onsemi
932
En stock
900
Fábrica
1 : $34.73000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
103 A (Tc)
20V
28mOhm a 60A, 20V
4.3V a 20mA
203 nC @ 20 V
+25V, -15V
2890 pF @ 800 V
-
535W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
SCT2450KEGC11
SCT3040KLGC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Rohm Semiconductor
333
En stock
1 : $37.08000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
55 A (Tc)
18V
52mOhm a 20A, 18V
5.6V a 10mA
107 nC @ 18 V
+22V, -4V
1337 pF @ 800 V
-
262W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
291
En stock
1 : $47.70000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
225 A (Tc)
15V, 18V
9.9mOhm a 108A, 18V
5.2V a 47mA
289 nC @ 18 V
+20V, -5V
9170 pF @ 800 V
-
750W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3
TO-247-3
C2D10120D
C2M0040120D
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
567
En stock
1 : $53.09000
Tubo
Tubo
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
60 A (Tc)
20V
52mOhm a 40A, 20V
2.8V a 10mA
115 nC @ 20 V
+25V, -10V
1893 pF @ 1000 V
-
330W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
IPW65R099CFD7AXKSA1
IMW120R220M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Infineon Technologies
959
En stock
1 : $5.35000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
13 A (Tc)
15V, 18V
286mOhm a 4A, 18V
5.7V a 1.6mA
8.5 nC @ 18 V
+23V, -7V
289 pF @ 800 V
-
75W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
PG-TO263-7-12
IMBG120R090M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Infineon Technologies
2,547
En stock
1 : $8.38000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.64275
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
26 A (Tc)
-
125mOhm a 8.5A, 18V
5.7V a 3.7mA
23 nC @ 18 V
+18V, -15V
763 pF @ 800 V
-
136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C2D10120D
C2M0280120D
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
13,858
En stock
1 : $9.42000
Tubo
Tubo
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
10 A (Tc)
20V
370mOhm a 6A, 20V
2.8V a 1.25mA (típico)
20.4 nC @ 20 V
+25V, -10V
259 pF @ 1000 V
-
62.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065100K
C3M0120065K
650V 120M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
280
En stock
1 : $10.51000
Tubo
Tubo
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
22 A (Tc)
15V
157mOhm a 6.76A, 15V
3.6V a 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V, -8V
640 pF @ 400 V
-
98W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
IPW65R099CFD7AXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Infineon Technologies
1,401
En stock
1 : $12.69000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
56 A (Tc)
15V, 18V
40mOhm a 25A, 18V
5.7V a 10mA
63 nC @ 18 V
+23V, -7V
2120 pF @ 800 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
IPW65R099CFD7AXKSA1
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
120
En stock
1 : $13.73000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
47 A (Tc)
18V
34mOhm a 38.3A, 18V
5.7V a 11mA
62 nC @ 18 V
+23V, -5V
2131 pF @ 400 V
-
189W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
PG-TO247-4-1
IMZ120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Infineon Technologies
334
En stock
1 : $14.81000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
52 A (Tc)
15V
59mOhm a 20A, 15V
5.7V a 10mA
52 nC @ 15 V
+20V, -10V
1900 pF @ 800 V
Detección de corriente
228W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-1
TO-247-4
208
En stock
1 : $16.20000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
70 A (Tc)
15V, 18V
40.9mOhm a 25.6A, 18V
5.2V a 11mA
68 nC @ 18 V
+20V, -7V
2160 pF @ 800 V
-
273W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-U02
TO-247-4
TO-247-4
SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
STMicroelectronics
526
En stock
1 : $18.17000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
60 A (Tc)
18V
52mOhm a 30A, 18V
5V a 1mA
94 nC @ 18 V
+22V, -10V
1969 pF @ 800 V
-
388W (Tc)
-55°C ~ 200°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
NVHL040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
onsemi
649
En stock
1 : $18.35000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
60 A (Tc)
20V
56mOhm a 35A, 20V
4.3V a 10mA
106 nC @ 20 V
+25V, -15V
1781 pF @ 800 V
-
348W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NTHL025N065SC1
SIC MOS TO247-3L 650V
onsemi
117
En stock
900
Fábrica
1 : $18.17000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
99 A (Tc)
15V, 18V
28.5mOhm a 45A, 18V
4.3V a 15.5mA
164 nC @ 18 V
+22V, -8V
3480 pF @ 325 V
-
348W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
Demostración
de 28

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.