FET simple, MOSFET

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PRODUCTO DEL MERCADO
4Resultados

Demostración
de 4
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
5 DFN
NTMFS5H610NLT1G
MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN
onsemi
3,511
En stock
4,500
Fábrica
1 : $1.15000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.33660
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
12 A (Ta) 44 A (Tc)
4.5V, 10V
10mOhm a 8A, 10V
2V a 40µA
13.7 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 30 V
-
3W (Ta), 43W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
8-PowerVDFN
STL130N6F7
MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,500
En stock
1 : $2.84000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.82975
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
130 A (Tc)
10V
3.5mOhm a 13A, 10V
4V a 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
4.8W (Ta), 125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerFlat™ (5x6)
8-PowerVDFN
RS1G201ATTB1
RS6L090BGTB1
NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Rohm Semiconductor
1,834
En stock
1 : $3.09000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.95250
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
90 A (Tc)
4.5V, 10V
4.7mOhm a 90A , 10V
2.5V a 1mA
28 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 30 V
-
3W (Ta), 73W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-HSOP
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SQM60030E_GE3
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Vishay Siliconix
800
En stock
800 : $1.77228
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
120 A (Tc)
10V
3.2mOhm a 30A, 10V
3.5V a 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 25 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Demostración
de 4

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.