FET simple, MOSFET

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PRODUCTO DEL MERCADO
4Resultados

Demostración
de 4
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
194,376
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02958
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
10V
3.5Ohm a 220mA, 10V
1.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2056U-7
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Diodes Incorporated
1,212
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07467
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4 A (Ta)
1.5V, 4.5V
38mOhm a 3.6A, 4.5V
1V a 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
339 pF @ 10 V
-
940mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCV27
NDS331N
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
49,096
En stock
1 : $0.58000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14790
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1.3 A (Ta)
2.7V, 4.5V
160mOhm a 1.5A, 4.5V
1V a 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
162 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2315BDS-T1-BE3
P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET
Vishay Siliconix
5,303
En stock
1 : $0.84000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.22260
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
3 A (Ta)
1.8V, 4.5V
50mOhm a 3.85A, 4.5V
900mV a 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
715 pF @ 6 V
-
750mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 4

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.