FET simple, MOSFET

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Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
3,273
En stock
1 : $3.18000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $1.47350
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
75A (Ta), 789A (Tc)
4.5V, 10V
0.29mOhm a 50A, 10V
2V a 1.448mA
254 nC @ 10 V
±16V
17000 pF @ 12 V
-
2.5W (Ta), 278W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TSON-8-9
8-PowerTDFN
734
En stock
1 : $4.81000
Cinta cortada (CT)
750 : $2.77083
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
-
MOSFET (óxido de metal)
600 V
-
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-
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-
Montaje en superficie
PG-HDSOP-22-1
Módulo 22-PowerBSOP
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.