FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
NX138AKMYL NX138AKM/SOT883/XQFN3 Nexperia USA Inc.	39,509 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.02652 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	270mA (Ta)	2.5V, 10V	4.2Ohm a 190mA, 10V	1.5V a 250µA	0.6 nC @ 10 V	±20V	15 pF @ 30 V	-	340mW (Ta), 2.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-883	SC-101, SOT-883
BSS84T116 MOSFET P-CH 60V 230MA SST3 Rohm Semiconductor	3,613 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06405 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	5.3Ohm a 230mA, 10V	2.5V a 100µA	-	±20V	34 pF @ 30 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3028LFDE-7 MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN Diodes Incorporated	71,003 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14250 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	6.8 A (Ta)	4.5V, 10V	32mOhm a 7A, 10V	2.4V a 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	1241 pF @ 15 V	-	660mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico E)	6-PowerUDFN
BSZ0501NSIATMA1 MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON Infineon Technologies	2,711 En stock	1 : $1.57000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.49490 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	25A (Ta), 40A (Tc)	4.5V, 10V	2mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	33 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 15 V	-	2.1W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8-FL	8-PowerTDFN

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.