TO-220-2, paquete completo Diódos simples

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de 716
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tecnología
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
Corriente - Promedio rectificado (Io)
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
Velocidad
Tiempo de recuperación inversa (trr)
Corriente - Fuga inversa a Vr
Capacitancia según Vr, F
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento
2,458
En stock
1 : $1.67000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Estándar
1200 V
20A
1.3 V @ 20 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
95 ns
100 µA @ 1200 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220-2, paquete completo
-40°C ~ 150°C
C3D02060F
DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2
Wolfspeed, Inc.
7,070
En stock
1 : $3.55000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
SiC (carburo de silicio) Schottky
600 V
11.5A
1.8 V @ 6 A
Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
294pF a 0V, 1MHz
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220-F2
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
DIODE STANDARD 600V 8A TO220FPAC
STMicroelectronics
1,351
En stock
1 : $0.86000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Estándar
600 V
8A
2.9 V @ 8 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
45 ns
30 µA @ 600 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220FPAC
175°C (máx.)
TO-220-2
DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO220FPAC
STMicroelectronics
8,050
En stock
1 : $1.12000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Schottky
45 V
15A
840 mV @ 30 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
-
200 µA @ 45 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220FPAC
175°C (máx.)
1,034
En stock
1 : $1.20000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Estándar
600 V
15A
3.2 V @ 15 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
22 ns
50 µA @ 600 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220-2, paquete completo
-65°C ~ 175°C
TO-220-2
DIODE STD 600V 10A TO220FPAC
STMicroelectronics
2,499
En stock
1 : $1.21000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Estándar
600 V
10A
2 V @ 10 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
50 ns
5 µA @ 600 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220FPAC
175°C (máx.)
1,143
En stock
1 : $1.50000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Estándar
600 V
30A
2.15 V @ 30 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
90 ns
10 µA @ 600 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220AC, paquete completo
-55°C ~ 175°C
PG-TO220-2 Full Pack
DIODE STANDARD 650V 28A PGTO2202
Infineon Technologies
638
En stock
1 : $1.63000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Estándar
650 V
28A
1.7 V @ 20 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
42 ns
40 µA @ 650 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
PG-TO220-2 paquete completo
-40°C ~ 175°C
TO-220-2 Full Pack
DIODE STANDARD 600V 8A TO220FP
onsemi
1,930
En stock
1,050
Fábrica
1 : $1.86000
Tubo
-
Tubo
Activo
Estándar
600 V
8A
1.5 V @ 8 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
60 ns
10 µA @ 600 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220FP
-65°C ~ 175°C
1,587
En stock
1 : $2.01000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Estándar
800 V
20A
1.1 V @ 20 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
-
100 µA @ 800 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220-2, paquete completo
-40°C ~ 150°C
TO-220-2 Full Pack
DIODE STANDARD 600V 15A TO220FP
onsemi
7,507
En stock
1 : $2.49000
Tubo
-
Tubo
Activo
Estándar
600 V
15A
1.5 V @ 15 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
60 ns
10 µA @ 600 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220FP
-65°C ~ 175°C
720
En stock
1 : $2.57000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Estándar
600 V
15A
2.2 V @ 15 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
29 ns
40 µA @ 600 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220-2, paquete completo
-65°C ~ 175°C
2,550
En stock
1 : $2.99000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Estándar
1200 V
10A
1.33 V @ 10 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
310 ns
100 µA @ 1000 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220-2, paquete completo
-40°C ~ 150°C
RB238T-30HZC9
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM
Rohm Semiconductor
1,000
En stock
1 : $4.58000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
SiC (carburo de silicio) Schottky
650 V
6A
1.5 V @ 6 A
Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
0 ns
30 µA @ 650 V
300pF a 1V, 1MHz
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220FM
175°C
RB238T-30HZC9
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM
Rohm Semiconductor
1,080
En stock
1 : $5.54000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
SiC (carburo de silicio) Schottky
650 V
10A
1.5 V @ 10 A
Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 650 V
500pF a 1V, 1MHz
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220FM
175°C
RB238T-30HZC9
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM
Rohm Semiconductor
456
En stock
1 : $7.70000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
SiC (carburo de silicio) Schottky
650 V
20A
1.5 V @ 20 A
Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
0 ns
100 µA @ 650 V
1000pF a 1V, 1MHz
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220FM
175°C
TO-220-2
DIODE SCHOTTK 45V 7.5A TO220FPAC
STMicroelectronics
2,800
En stock
1 : $0.32000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Schottky
45 V
7.5A
840 mV @ 15 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
-
100 µA @ 45 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220FPAC
175°C (máx.)
RFUH10TF6SFHC9
DIODE STANDARD 800V 5A TO220NFM
Rohm Semiconductor
498
En stock
1 : $1.06000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Estándar
800 V
5A
2.1 V @ 5 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
40 ns
10 µA @ 800 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220NFM
150°C (máx.)
TO-220-2
DIODE STANDARD 600V 8A TO220FPAC
STMicroelectronics
1,803
En stock
1 : $1.07000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Estándar
600 V
8A
3.4 V @ 8 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
18 ns
20 µA @ 600 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220FPAC
175°C (máx.)
MBRF10200
DIODE SCHOTTKY 200V 10A ITO220AC
Taiwan Semiconductor Corporation
1,225
En stock
1 : $1.09000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Schottky
200 V
10A
1.05 V @ 10 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
-
100 µA @ 200 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
ITO-220AC
-55°C ~ 150°C
TO-220-2
DIODE SIL CARB 650V 3A ITO220AC
SMC Diode Solutions
207
En stock
1 : $1.20000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
SiC (carburo de silicio) Schottky
650 V
3A
1.7 V @ 3 A
Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
0 ns
5 µA @ 650 V
179pF a 0V, 1MHz
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
ITO-220AC (TO-220-2F)
-55°C ~ 175°C
MBRF10200
DIODE STANDARD 600V 8A ITO220AC
Taiwan Semiconductor Corporation
374
En stock
1 : $1.28000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Estándar
600 V
8A
1.3 V @ 8 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
65 ns
5 µA @ 600 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
ITO-220AC
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
DIODE SIL CARB 650V 6A ITO220AC
SMC Diode Solutions
899
En stock
1 : $1.51000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
SiC (carburo de silicio) Schottky
650 V
6A
1.7 V @ 6 A
Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
0 ns
8 µA @ 650 V
382pF a 0V, 1MHz
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
ITO-220AC (TO-220-2F)
-55°C ~ 175°C
MBRF10200
DIODE STANDARD 200V 20A ITO220AC
Taiwan Semiconductor Corporation
953
En stock
1 : $1.54000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Estándar
200 V
20A
975 mV @ 20 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
35 ns
10 µA @ 200 V
170pF a 4V, 1MHz
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
ITO-220AC
-55°C ~ 150°C
1,175
En stock
1 : $1.58000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Estándar
600 V
20A
1.63 V @ 20 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
61 ns
15 µA @ 600 V
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220-2, paquete completo
-55°C ~ 175°C
Demostración
de 716

Tipos de diodos rectificadores


    Diodos rectificadores estándar
  • Diodos estándar (unión PN de silicio) Los diodos estándar son el tipo más básico de diodo rectificador, hecho de silicio con una unión PN. Se usan comúnmente en convertidores de CA a CC, rectificación de energía y protección general de circuitos. Estos diodos suelen tener una caída de tensión hacia delante de unos 0,7 V y son los más adecuados para la conmutación de baja frecuencia. Su tiempo de recuperación inversa (lo rápido que dejan de conducir cuando se apagan) es relativamente lento, lo que limita su uso en aplicaciones de alta velocidad. También tienen una baja corriente de fuga inversa, lo que los hace fiables para operaciones en estado estacionario.

  • Diodos de barrera Schottky (SBD)
    Los diodos Schottky (SBD) utilizan una unión metal-semiconductor en lugar de una unión PN tradicional, lo que da lugar a velocidades de conmutación más rápidas y caídas de tensión de avance más bajas, a menudo entre 0.2 V y 0.4 V. Esto los hace ideales para convertidores de CC-CC, fuentes de alimentación de alta eficiencia y circuitos donde minimizar la pérdida de energía es crítico. Sin embargo, un inconveniente de los SBD es su mayor corriente de fuga inversa, especialmente a temperaturas elevadas, lo que puede ser una preocupación en dispositivos de precisión o que funcionan con baterías.

  • Rectificadores de superbarrera (SBR)
    Los rectificadores de superbarrera (SBR) combinan las mejores características de los diodos estándar y los diodos Schottky. Ofrecen una baja caída de voltaje directo como los SBD, pero con una corriente de fuga inversa significativamente menor y un mejor manejo de la tensión inversa. Los SBR son adecuados para conmutar convertidores de potencia, adaptadores y electrónica automotriz, donde la eficiencia energética y la estabilidad térmica son importantes. A menudo, son una mejor opción que los diodos Schottky cuando la aplicación implica temperaturas ambiente más altas o transitorios de voltaje más grandes.

  • Diodos de avalancha
    Los diodos de avalancha están diseñados para funcionar de manera confiable en modo de ruptura inversa, donde conducen la corriente de manera segura una vez que se supera un umbral de voltaje inverso específico. A diferencia de los diodos estándar, que pueden dañarse por avería, los diodos de avalancha están fabricados para hacer frente a esta condición de forma repetida y predecible.
  • En la rectificación de conmutación rápida, a veces se prefieren los diodos de avalancha sobre los diodos PN estándar debido a su comportamiento mejorado de recuperación inversa, lo que reduce las pérdidas de conmutación y mejora la eficiencia general del convertidor. Su capacidad para soportar transitorios de alto voltaje inverso sin degradación los hace particularmente adecuados para circuitos de amortiguación, convertidores flyback y topologías conmutadas de forma rígida.

  • Diodos de carburo de silicio (SiC)
    Los diodos de SiC están construidos con carburo de silicio, un material de banda prohibida ancha que les permite manejar voltajes muy altos (600 V y más) y temperaturas extremas (>150 °C). Son ideales para convertidores industriales, cargadores de vehículos eléctricos, inversores solares y accionamientos de motor, especialmente en circuitos que requieren una conmutación rápida y un tiempo de recuperación inverso cero. Aunque son más caros que los diodos basados en silicio, su durabilidad y eficiencia a altos voltajes y frecuencias a menudo los convierten en la mejor opción a largo plazo en aplicaciones exigentes.