SiC (carburo de silicio) Schottky Diódos simples

Demostración

de 1,601

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tecnología	Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)	Corriente - Promedio rectificado (Io)	Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If	Velocidad	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Corriente - Fuga inversa a Vr	Capacitancia según Vr, F	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor	Temperatura de funcionamiento: acoplamiento
GB01SLT06-214 DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA GeneSiC Semiconductor	36,301 En stock	1 : $1.63000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.01001 Cinta y rollo (TR)	-	SiC Schottky MPS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	650 V	1A	2 V @ 1 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	10 µA @ 6.5 V	76pF a 1V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	DO-214AA	-55°C ~ 175°C
IDM02G120C5XTMA1 DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522 Infineon Technologies	31,001 En stock	1 : $2.42000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.70842 Cinta y rollo (TR)	-	CoolSiC™+	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	2A	1.65 V @ 2 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	18 µA @ 1200 V	182pF a 1V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	PG-TO252-2	-55°C ~ 175°C
C3D04060E-TR DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252 Wolfspeed, Inc.	288 En stock	1 : $2.75000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.81957 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Z-Rec®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	600 V	13.5A	1.8 V @ 4 A	Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)	-	50 µA @ 600 V	251pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
C4D02120E-TR DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522 Wolfspeed, Inc.	20,397 En stock	1 : $2.98000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.90072 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Z-Rec®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	10A	1.8 V @ 2 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 1200 V	167pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
C4D02120E DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522 Wolfspeed, Inc.	7,250 En stock	1 : $2.98000 Tubo	-	Z-Rec®	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	10A	1.8 V @ 2 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 1200 V	167pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
STPSC2H12B2Y-TR DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK STMicroelectronics	13,969 En stock	1 : $3.14000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.01970 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	5A	1.5 V @ 2 A	Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)	-	12 µA @ 1200 V	190pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	DPAK	-40°C ~ 175°C
GB02SLT12-214 DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA GeneSiC Semiconductor	22,216 En stock	1 : $3.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $2.15001 Cinta y rollo (TR)	-	SiC Schottky MPS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	2A	1.8 V @ 1 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 1200 V	131pF a 1V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	DO-214AA	-55°C ~ 175°C
STPSC10H065B-TR DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK STMicroelectronics	6,013 En stock	1 : $3.26000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.02462 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	650 V	10A	1.75 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	100 µA @ 650 V	480pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	DPAK	-40°C ~ 175°C
GD10MPS12E DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522 GeneSiC Semiconductor	103 En stock	1 : $3.58000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $2.31002 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SiC Schottky MPS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	29A	1.8 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	5 µA @ 1200 V	367pF a 1V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
C3D06060F DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2 Wolfspeed, Inc.	3,524 En stock	1 : $3.72000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Z-Rec®	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	600 V	11.5A	1.8 V @ 6 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 600 V	294pF a 0V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2, paquete completo	TO-220-F2	-55°C ~ 175°C
UJ3D1202TS DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220 onsemi	6,512 En stock	1 : $3.96000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	2A	1.6 V @ 5 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	22 µA @ 1200 V	109pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
SICRF101200 DIODE SIC 1.2KV 10A ITO220AC SMC Diode Solutions	1,443 En stock	1 : $4.07000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	10A	1.8 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	100 µA @ 1200 V	640pF a 0V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2, paquete completo, lengüeta aislada	ITO-220AC	-55°C ~ 175°C
STPSC10H065BY-TR DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK STMicroelectronics	1,675 En stock	1 : $4.27000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.47925 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	650 V	10A	-	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	100 µA @ 650 V	480pF a 0V, 1MHz	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	DPAK	-40°C ~ 175°C
GP3D005A170B DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472 SemiQ	2,786 En stock	1 : $4.34000 Tubo	-	Amp+™	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1700 V	21 A	1.65 V @ 5 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	20 µA @ 1700 V	347pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-247-2	TO-247-2	-55°C ~ 175°C
GD05MPS17H DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472 GeneSiC Semiconductor	923 En stock	1 : $5.29000 Tubo	-	SiC Schottky MPS™	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1700 V	15A	1.8 V @ 5 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	20 µA @ 1700 V	361pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-247-2	TO-247-2	-55°C ~ 175°C
C3D10060G DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2 Wolfspeed, Inc.	564 En stock	1 : $5.42000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Z-Rec®	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	600 V	29A	1.8 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 600 V	480pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB	TO-263-2	-55°C ~ 175°C
C4D05120E DIODE SIL CARB 1200V 19A TO2522 Wolfspeed, Inc.	3,511 En stock	1 : $5.84000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Z-Rec®	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	19A	1.8 V @ 5 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	150 µA @ 1200 V	390pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
S4D30120H DIODE SIL CARB 1200V 94A TO247AC SMC Diode Solutions	243 En stock	1 : $5.87000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	94A	1.8 V @ 30 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	20 µA @ 1200 V	2581pF a 0V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-247-2	TO-247AC	-55°C ~ 175°C
IDH12SG60CXKSA2 DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2201 Infineon Technologies	475 En stock	1 : $6.42000 Tubo	-	CoolSiC™+	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	600 V	12A	2.1 V @ 12 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	100 µA @ 600 V	310pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	PG-TO220-2-1	-55°C ~ 175°C
STPSC20065GY-TR DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK STMicroelectronics	1,002 En stock	1 : $6.50000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $2.94030 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	ECOPACK®2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	650 V	20A	1.45 V @ 20 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	150 µA @ 600 V	1250pF a 0V, 1MHz	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB	D2PAK	-40°C ~ 175°C
FFSD08120A DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA onsemi	2,358 En stock 5,000 Fábrica	1 : $6.56000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $2.63512 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	22.5A	1.75 V @ 8 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	200 µA @ 1200 V	538pF a 1V, 100kHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	TO-252AA	-55°C ~ 175°C
IDH20G65C6XKSA1 DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220 Infineon Technologies	1,058 En stock	1 : $6.97000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	650 V	41A	1.35 V @ 20 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	67 µA @ 420 V	970pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	PG-TO220-2	-55°C ~ 175°C
GD20MPS12H DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472 GeneSiC Semiconductor	2,011 En stock	1 : $7.15000 Tubo	-	SiC Schottky MPS™	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	39A	1.8 V @ 20 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	10 µA @ 1200 V	737pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-247-2	TO-247-2	-55°C ~ 175°C
STPSC15H12D DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC STMicroelectronics	1,099 En stock	1 : $7.83000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Última compra	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	15A	1.5 V @ 15 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	90 µA @ 1200 V	1200pF a 0V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	TO-220AC	-40°C ~ 175°C
IDK20G120C5XTMA1 DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO26321 Infineon Technologies	1,168 En stock	1 : $8.36000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $3.63175 Cinta y rollo (TR)	-	CoolSiC™+	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	56A	1.8 V @ 20 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	123 µA @ 1200 V	1050pF a 1V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB	PG-TO263-2-1	-55°C ~ 175°C

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Tipos de diodos rectificadores

Diodos rectificadores estándar

Diodos estándar (unión PN de silicio) Los diodos estándar son el tipo más básico de diodo rectificador, hecho de silicio con una unión PN. Se usan comúnmente en convertidores de CA a CC, rectificación de energía y protección general de circuitos. Estos diodos suelen tener una caída de tensión hacia delante de unos 0,7 V y son los más adecuados para la conmutación de baja frecuencia. Su tiempo de recuperación inversa (lo rápido que dejan de conducir cuando se apagan) es relativamente lento, lo que limita su uso en aplicaciones de alta velocidad. También tienen una baja corriente de fuga inversa, lo que los hace fiables para operaciones en estado estacionario.

Diodos de barrera Schottky (SBD)
Los diodos Schottky (SBD) utilizan una unión metal-semiconductor en lugar de una unión PN tradicional, lo que da lugar a velocidades de conmutación más rápidas y caídas de tensión de avance más bajas, a menudo entre 0.2 V y 0.4 V. Esto los hace ideales para convertidores de CC-CC, fuentes de alimentación de alta eficiencia y circuitos donde minimizar la pérdida de energía es crítico. Sin embargo, un inconveniente de los SBD es su mayor corriente de fuga inversa, especialmente a temperaturas elevadas, lo que puede ser una preocupación en dispositivos de precisión o que funcionan con baterías.

Rectificadores de superbarrera (SBR)
Los rectificadores de superbarrera (SBR) combinan las mejores características de los diodos estándar y los diodos Schottky. Ofrecen una baja caída de voltaje directo como los SBD, pero con una corriente de fuga inversa significativamente menor y un mejor manejo de la tensión inversa. Los SBR son adecuados para conmutar convertidores de potencia, adaptadores y electrónica automotriz, donde la eficiencia energética y la estabilidad térmica son importantes. A menudo, son una mejor opción que los diodos Schottky cuando la aplicación implica temperaturas ambiente más altas o transitorios de voltaje más grandes.

Diodos de avalancha
Los diodos de avalancha están diseñados para funcionar de manera confiable en modo de ruptura inversa, donde conducen la corriente de manera segura una vez que se supera un umbral de voltaje inverso específico. A diferencia de los diodos estándar, que pueden dañarse por avería, los diodos de avalancha están fabricados para hacer frente a esta condición de forma repetida y predecible.

Diodos de carburo de silicio (SiC)
Los diodos de SiC están construidos con carburo de silicio, un material de banda prohibida ancha que les permite manejar voltajes muy altos (600 V y más) y temperaturas extremas (>150 °C). Son ideales para convertidores industriales, cargadores de vehículos eléctricos, inversores solares y accionamientos de motor, especialmente en circuitos que requieren una conmutación rápida y un tiempo de recuperación inverso cero. Aunque son más caros que los diodos basados en silicio, su durabilidad y eficiencia a altos voltajes y frecuencias a menudo los convierten en la mejor opción a largo plazo en aplicaciones exigentes.

Tipos de diodos rectificadores

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